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Schlüsselwörter [ stable high voltage power mosfet ] Spiel 68 produits.
N Typ 1200V Sic Power Mosfet, Metalloxid Siliziumfeldwirkungstransistor
| Produktbezeichnung: | Siliziumkarbid-MOSFET |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
Multiscene Niedrigleistungs-Mosfet-Transistoren SGT stabil mit niedriger Schwellenspannung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Praktische Siliziumkarbid-MOSFET Stabile Hochfrequenz-Militärstandard
| Material: | Siliziumkarbid |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Einheitentyp: | MOSFET |
Motorfahrer Niederspannung Fet stabil für Hochfrequenzschalter
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Schnelle Aufladung Niedrige Leistung Fet Stabile multifunktionale niedrige Schwelle
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
N-Kanal Niederspannungs-MOSFET Stabil hoher EAS für Gleichspannungs-Gleichspannungswandler
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Stabiler 20V Niedrigstrom-P-Kanal Mosfet, praktischer Niederspannungs-Hochstrom-Transistor
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Revolutionäre Hochfrequenz-Halbleiterkomponente für erneuerbare Energiesysteme
| Temperaturbeständigkeit: | Hochtemperaturbeständigkeit |
|---|---|
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
| Effizienz: | Hohe Effizienz |
Low Rds ON Hochleistungs-Halbleiter für Konverter
| Effizienz: | Hohe Effizienz |
|---|---|
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
| RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |