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mots clés [ power supply super junction mosfet ] rencontre 21 produits.
Anti-surge MOSFET Super Junction N Channel Durable Multifonction
| Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
|---|---|
| Marge d'IEM: | Grande EMI Margin |
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
Des super jonctions industrielles durables, des Mosfet discrets multi-fonctions.
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |
Transistor à super jonction industriel stable, dissipation de chaleur discrète Mosfet
| Marge d'IEM: | Grande EMI Margin |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Le type: | N |
Pratique Super Junction Fet N Type Multi Fonction Pour les convertisseurs
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
Anti-surge Super Junction Mos, un semi-conducteur à oxyde de métal pratique.
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
|---|---|
| Le type: | N |
| Capacité: | Capacité de jonction très réduite |
Transistor à super jonction d'oxyde métallique multifonctionnel pour l'industrie
| Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
|---|---|
| Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
Superjonction FET multi-couche stable pour les équipements électriques à énergie nouvelle
| Le type: | N |
|---|---|
| Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |
| Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
Anti-EMI superjunction de la puissance du Mosfet, pratique N du canal de la puissance du Mosfet
| Capacité: | Capacité de jonction très réduite |
|---|---|
| le paquet: | Paquet ultra petit |
| Type de dispositif: | Dispositifs discrets de puissance |
Un mousquet de puissance à superjonction durable, un mousquet anti-surtension.
| Capacité: | Capacité de jonction très réduite |
|---|---|
| le paquet: | Paquet ultra petit |
| Type de dispositif: | Dispositifs discrets de puissance |
Le Mosfet à superjonction multi-scène stable, le Mosfet à dissimulation anti-EMI
| Marge d'IEM: | Grande EMI Margin |
|---|---|
| Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |
| Le type: | N |