Alle producten
zoekwoorden [ power supply super junction mosfet ] bij elkaar passen 21 producten.
Anti-surge MOSFET Super Junction N Channel Duurzaam veelzijdig
| Interne Weerstand: | Ultra Kleine Interne Weerstand |
|---|---|
| EMI marge: | Grote EMI Margin |
| Naam van het product: | Super Verbinding MOSFET/SJ MOSTET |
Duurzame industriële super junction Mos, Multi Function Mosfet Discrete
| Naam van het product: | Super Verbinding MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Toepassing: | HOOFDbestuurder, PFC-Kring, Schakelende Voeding, UPS van Ononderbroken Voedingsysteem, New Energy-Ma |
| Voordelen: | Het wordt gemaakt door Multi-layer Epitaxy Proces. Vergeleken met Geulproces, heeft het Uitstekende |
Industriële stabiele super junction transistor, warmte-dissipatie discrete Mosfet
| EMI marge: | Grote EMI Margin |
|---|---|
| Toepassing: | HOOFDbestuurder, PFC-Kring, Schakelende Voeding, UPS van Ononderbroken Voedingsysteem, New Energy-Ma |
| Type: | N |
Praktische Super Junction Fet N Type Multi Function Voor Converters
| Naam van het product: | Super Verbinding MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Toepassing: | HOOFDbestuurder, PFC-Kring, Schakelende Voeding, UPS van Ononderbroken Voedingsysteem, New Energy-Ma |
| Interne Weerstand: | Ultra Kleine Interne Weerstand |
Anti Surge Super Junction Mos, praktische N-kanaal metaaloxide halfgeleider.
| Toepassing: | HOOFDbestuurder, PFC-Kring, Schakelende Voeding, UPS van Ononderbroken Voedingsysteem, New Energy-Ma |
|---|---|
| Type: | N |
| Capacitieve weerstand: | Ultra-low Verbindingscapacitieve weerstand |
Metalen oxide transistor met superkoppeling
| Interne Weerstand: | Ultra Kleine Interne Weerstand |
|---|---|
| Voordelen: | Het wordt gemaakt door Multi-layer Epitaxy Proces. Vergeleken met Geulproces, heeft het Uitstekende |
| Naam van het product: | Super Verbinding MOSFET/SJ MOSTET |
Stabiel Super Junction Fet Multi-Layer Voor Nieuwe Energie Power Equipment
| Type: | N |
|---|---|
| Voordelen: | Het wordt gemaakt door Multi-layer Epitaxy Proces. Vergeleken met Geulproces, heeft het Uitstekende |
| Interne Weerstand: | Ultra Kleine Interne Weerstand |
Anti EMI Superjunction Power Mosfet, Praktisch N-kanaal Power Mosfet
| Capacitieve weerstand: | Ultra-low Verbindingscapacitieve weerstand |
|---|---|
| Pakket: | Ultra Klein Pakket |
| Apparatentype: | Machts Afzonderlijke Apparaten |
Duurzaam Superjunction Power Mosfet, Anti Surge N Channel Mosfet
| Capacitieve weerstand: | Ultra-low Verbindingscapacitieve weerstand |
|---|---|
| Pakket: | Ultra Klein Pakket |
| Apparatentype: | Machts Afzonderlijke Apparaten |
Stabiel Multiscene Superjunction Mosfet, Anti EMI Discrete Mosfet
| EMI marge: | Grote EMI Margin |
|---|---|
| Voordelen: | Het wordt gemaakt door Multi-layer Epitaxy Proces. Vergeleken met Geulproces, heeft het Uitstekende |
| Type: | N |