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mots clés [ n channel high power mosfet ] rencontre 67 produits.
RSP à basse tension MOSFET multi-scène N-canal
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
Transistor à haute tension pour environnements à haute température
| Résistance à la température: | Résistance aux températures élevées |
|---|---|
| Courant anti-poussée: | Capacité de résistance aux surtensions |
| puissance: | Le pouvoir suprême |
Transistor à haute tension, canal multifonctionnel
| Fuite: | La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A |
|---|---|
| Estimation de tension: | Tension à haute tension/ultra-haute |
| Application du transistor MOSFET Ultra-HT: | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie |
Composant de semi-conducteurs à haute fréquence révolutionnaire pour les systèmes d'énergie renouvelable
| Résistance à la température: | Résistance aux températures élevées |
|---|---|
| Courant de récupération d'inversion: | Courant de récupération inverse extrêmement faible |
| Efficacité: | Haute efficacité |
Métal pratique à haute tension Sic Mosfet, semi-conducteur au carbure de silicium de type N
| Avantages: | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
|---|---|
| Le pouvoir: | Puissance élevée |
| Le type: | N |
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Convertisseur stable Transistor au carbure de silicium, alimentation UPS SiC FET
| Le pouvoir: | Puissance élevée |
|---|---|
| Résistance: | Faible résistance |
| Application du projet: | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio |
Des super jonctions industrielles durables, des Mosfet discrets multi-fonctions.
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |