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キーワード [ n channel high power mosfet ] 一致 67 製品.
小型RSP低電圧MOSFET多シーンNチャンネル低しきい値
| EAS機能: | 高い EAS 機能 |
|---|---|
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
耐久型インバーター 高電圧トランジスタ 多機能チャネル N モスフェット
| 漏れ: | 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる |
|---|---|
| 電圧評価: | 高圧/超高度の電圧 |
| 超HV MOSFETの塗布: | スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。 |
メタル 実践的な高電圧 シック モスフェット N型シリコンカービッド半導体
| 利点: | 国家軍事規格の生産ラインに基づいており、プロセスは安定しており、品質は信頼できます |
|---|---|
| パワー: | 高い発電 |
| タイプ: | N |
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安定コンバーター シリコンカービッドトランジスタ,UPS電源 SiC FETs
| パワー: | 高い発電 |
|---|---|
| 抵抗: | 低いオン抵抗 |
| 適用する: | ソーラーインバータ、高圧DC/DCコンバータ、モータドライバ、UPS電源、スイッチング電源、充電パイルなど |
耐久性産業用スーパージャンクション モス,多機能モスフェット ディスクレート
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |