সব পণ্য
ধাতু প্রাকটিক্যাল হাই ভোল্টেজ সিক মোসফেট, এন টাইপ সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর
| উৎপত্তি স্থল | গুয়াংডং, সিএন |
|---|---|
| পরিচিতিমুলক নাম | REASUNOS |
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ | 600 |
| মূল্য | Confirm price based on product |
| প্যাকেজিং বিবরণ | ডাস্টপ্রুফ, ওয়াটারপ্রুফ, এবং অ্যান্টি-স্ট্যাটিক টিউবুলার প্যাকেজিং, একটি কার্ডবোর্ডের বাক্সের ভিতরে |
| ডেলিভারি সময় | 2-30 দিন (মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে) |
| পরিশোধের শর্ত | 100% T/T অগ্রিম (EXW) |
| যোগানের ক্ষমতা | 5KK/মাস |
বিনামূল্যে নমুনা এবং কুপন জন্য আমার সাথে যোগাযোগ করুন.
হোয়াটসঅ্যাপ:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
স্কাইপ: sales10@aixton.com
আপনার কোন উদ্বেগ থাকলে, আমরা 24-ঘন্টা অনলাইন সহায়তা প্রদান করি।
xপণ্যের বিবরণ
| সুবিধাদি | ন্যাশনাল মিলিটারি স্ট্যান্ডার্ড প্রোডাকশন লাইনের উপর ভিত্তি করে, প্রক্রিয়াটি স্থিতিশীল এবং গুণমান ন | শক্তি | উচ্চ ক্ষমতা |
|---|---|---|---|
| প্রকার | এন | প্রতিরোধ | কম প্রতিরোধ ক্ষমতা |
| পণ্যের নাম | সিলিকন কার্বাইড MOSFET | কার্যকারিতা | উচ্চ দক্ষতা |
| ফ্রিকোয়েন্সি | উচ্চ তরঙ্গ | ডিভাইসের ধরন | MOSFET |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা | মেটাল হাই ভোল্টেজ সিক মোসফেট,প্রাকটিক্যাল হাই ভোল্টেজ সিক মোসফেট,এন টাইপ সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর |
||
আপনি আপনার প্রয়োজনীয় পণ্যগুলি টিক দিতে পারেন এবং বার্তা বোর্ডে আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন।
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
পণ্যের বর্ণনা
পণ্যের বর্ণনাঃ
Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to optimize the performance of high-frequency and high-efficiency electrical applicationsএই সিলিকন কার্বাইড MOSFET একটি N- টাইপ চ্যানেল বৈশিষ্ট্য এবং সুইচিং এবং বৈদ্যুতিক সংকেত পরিবর্ধন জন্য আদর্শ।এটি একটি সিলিকন কার্বাইড ধাতু অক্সাইড অর্ধপরিবাহী একটি ধাতু অক্সাইড অর্ধপরিবাহী ক্ষেত্র প্রভাব ট্রানজিস্টর সঙ্গে একত্রিত করে গঠিত হয়, যা এটিকে ঐতিহ্যবাহী MOSFETs এর তুলনায় আরো শক্তিশালী এবং আরো কার্যকর করে তোলে।সিলিকন কার্বাইড MOSFETs অন্যান্য ধরনের MOSFETs তুলনায় তাদের উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি এবং দক্ষতা কারণে ক্রমবর্ধমান জনপ্রিয় হয়ে উঠছে.
টেকনিক্যাল প্যারামিটারঃ
| প্যারামিটার | বর্ণনা |
|---|---|
| প্রতিরোধ | কম প্রতিরোধ |
| ঘনত্ব | উচ্চ ঘন ঘন |
| উপাদান | সিলিকন কার্বাইড |
| শক্তি | উচ্চ ক্ষমতা |
| প্রকার | এন টাইপ |
| প্রয়োগ | সোলার ইনভার্টার, হাই-ভোল্টেজ ডিসি/ডিসি কনভার্টার, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, চার্জিং পিল ইত্যাদি। |
| কার্যকারিতা | উচ্চ দক্ষতা |
| পণ্যের নাম | সিলিকন কার্বাইড MOSFET |
| সুবিধা | ন্যাশনাল মিলিটারি স্ট্যান্ডার্ড প্রোডাকশন লাইনের উপর ভিত্তি করে, প্রক্রিয়া স্থিতিশীল এবং গুণমান নির্ভরযোগ্য |
| ডিভাইসের ধরন | MOSFET |
অ্যাপ্লিকেশনঃ
REASUNOS ব্র্যান্ডসিলিকন কার্বাইড MOSFETsএটি সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) উপাদানগুলির উপর ভিত্তি করে একটি ক্ষেত্র প্রভাব ট্রানজিস্টর (এফইটি) । এটিতে কম প্রতিরোধ রয়েছে এবং খুব উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে সক্ষম।এটি একটি জাতীয় সামরিক মান উৎপাদন লাইন দ্বারা উত্পাদিত হয়, একটি স্থিতিশীল প্রক্রিয়া এবং নির্ভরযোগ্য মান নিশ্চিত করে। এটি উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি চমৎকার পছন্দ এবং ঐতিহ্যগত MOSFETs তুলনায় অনেক সুবিধা আছে।
REASUNOS সিলিকন কার্বাইড MOSFETs এর সর্বনিম্ন অর্ডার পরিমাণ 600, এবং মূল্য নির্ধারণ করা হয় পণ্য দ্বারা পণ্য ভিত্তিতে। তারা ধুলো প্রতিরোধী, জলরোধী,এবং অ্যান্টি স্ট্যাটিক টিউবুলার প্যাকেজিং, একটি কার্ডবোর্ড বাক্সের ভিতরে কার্টনে রাখা হয়। ডেলিভারি সময় 2-30 দিন, মোট পরিমাণ উপর নির্ভর করে। পেমেন্ট শর্তাবলী আগাম 100% টি / টি (এক্সডাব্লু) । সরবরাহ ক্ষমতা 5KK / মাস।
REASUNOS সিলিকন কার্বাইড MOSFETs বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত, যেমন অটোমোটিভ, শিল্প, চিকিৎসা এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স।এর উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পারফরম্যান্স এবং কম প্রতিরোধের এটি পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট অ্যাপ্লিকেশন জন্য একটি আদর্শ পছন্দএটি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং সিস্টেমগুলির পাশাপাশি উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্যও উপযুক্ত।
সহায়তা ও সেবা:
সিলিকন কার্বাইড MOSFET প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা
আমরা সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং সেবা প্রদান করি।আমাদের সাপোর্ট টিম অভিজ্ঞ ইঞ্জিনিয়ারদের দ্বারা গঠিত যারা পণ্যের সাথে পরিচিত এবং আপনাকে সেরা সমর্থন এবং পরিষেবা প্রদান করতে পারেন.
আমাদের প্রযুক্তিগত সহায়তার মধ্যে রয়েছেঃ
- সিলিকন কার্বাইড MOSFET প্রোডাক্ট নিয়ে প্রযুক্তিগত পরামর্শ প্রদান।
- ত্রুটি সমাধান এবং ডায়াগনস্টিক।
- মেরামত ও রক্ষণাবেক্ষণ।
- সফটওয়্যার আপডেট।
- পণ্য প্রশিক্ষণ।
যদি আপনার কোন প্রশ্ন থাকে, আমাদের সাপোর্ট টিমের সাথে যোগাযোগ করুন। আমরা আপনার সিলিকন কার্বাইড MOSFET পণ্যের সর্বাধিক উপার্জন করতে সাহায্য করার জন্য এখানে আছি।
প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
সিলিকন কার্বাইড MOSFET প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
সিলিকন কার্বাইড MOSFET নিরাপদভাবে শিপিং জন্য প্যাকেজ করা হয় তা নিশ্চিত করার জন্য এটি তার পূর্ণ কার্যকারিতা সঙ্গে নিরাপদে পৌঁছা হয়। বিশেষ মনোযোগ যেমন গেট dielectric যেমন ভঙ্গুর উপাদান দেওয়া হয়.পণ্যটি একটি অ্যান্টিস্ট্যাটিক ব্যাগে সিল করা হয় এবং একটি প্রতিরক্ষামূলক বাক্সে স্থাপন করা হয়, যা ফোম প্যাডিং বা অন্যান্য cushioning উপকরণ দ্বারা বেষ্টিত।তারপর বাক্সটি সুরক্ষিত করা হয় এবং অতিরিক্ত সুরক্ষার জন্য একটি বাইরের শিপিং কন্টেইনারে রাখা হয়অবশেষে, শিপমেন্টটি যথাযথ শিপিং ঠিকানার সাথে লেবেলযুক্ত এবং বিতরণের জন্য প্রস্তুত।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
প্রশ্ন 1: সিলিকন কার্বাইড MOSFET কি?
উত্তরঃ সিলিকন কার্বাইড এমওএসএফইটি একটি সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) ওয়েফার থেকে তৈরি একটি ধাতব অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি) ডিভাইস। এটি উচ্চ শক্তি সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়,এবং বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন বৈদ্যুতিক যানবাহন, সৌর ইনভার্টার এবং উচ্চ ভোল্টেজ সিস্টেম।
প্রশ্ন ২: সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর প্রস্তুতকারক কে?
উত্তরঃ REASUNOS সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর প্রস্তুতকারক। এটি চীনের গুয়াংডংয়ে অবস্থিত।
প্রশ্ন 3: ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণ কত?
উত্তরঃ সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর জন্য ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণ 600।
প্রশ্ন ৪ঃ দাম কত?
উত্তরঃ সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর দাম পণ্যের উপর ভিত্তি করে নিশ্চিত করা হয়।
Q5: ডেলিভারি সময় কি?
A5: সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর বিতরণ সময় মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে 2-30 দিন। সরবরাহ ক্ষমতা 5KK / মাস।
প্রস্তাবিত পণ্য
