جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

مكافحة الزيادة MOSFET التقاطع الخارق القناة N دائمة متعددة الأغراض

  • Anti Surge MOSFET Super Junction N Channel Durable Multipurpose
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
المقاومة الداخلية مقاومة داخلية صغيرة جدًا هامش EMI هامش EMI كبير
اسم المنتج سوبر جنكشن موسفيت/SJ موستيت حزمة حزمة صغيرة جدًا
نوع الجهاز الأجهزة المنفصلة عن الطاقة السعة سعة توصيل منخفضة للغاية
التطبيق مشغل LED، دائرة PFC، تحويل مصدر الطاقة، UPS لنظام إمداد الطاقة المستمر، معدات طاقة الطاقة الجديدة، إ مزايا It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. وهي مصنوعة من خلال عملية Epitaxy متعددة الطبقات
إبراز

مكافحة المبالغة MOSFET التقاطع الفائق,MOSFET Super Junction دائمة,القناة المتعددة الأغراض

,

MOSFET Super Junction Durable

,

Multipurpose Mosfet N Channel
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
منتوج وصف

الموسفيت ذو المقاومة الداخلية الصغيرة للغاية مع قدرات ممتازة لمكافحة EMI ومكافحة الموجات

وصف المنتج:

سوبر جنكشن MOSFET هو سوبر mosfet ، والذي يستخدم على نطاق واسع في سائق LED ، دائرة PFC ، تغيير إمدادات الطاقة ، UPS من نظام إمدادات الطاقة المستمرة ، معدات الطاقة الجديدة ، الخ.تم تصميمه مع هامش EMI الكبير وحزمة صغيرة للغاية، والتي تجلب إمكانيات ممتازة لمكافحة EMI ومكافحة الزيادة. يتم تصنيعها عن طريق عملية التجفيف متعددة الطبقات ، والتي هي أكثر تقدماً من عملية الخندق ولديها سعة اتصال منخفضة للغاية.

 

المعلمات التقنية:

المعلمات المواصفات
اسم المنتج MOSFET/SJ MOSTET التقاطع الفائق
نوع الجهاز أجهزة منفصلة عن الطاقة
النوع ن
الحزمة حزمة صغيرة جداً
المقاومة الداخلية المقاومة الداخلية الصغيرة جداً
السعة سعة التقاطع المنخفضة للغاية
هامش IME هامش EMI كبير
التطبيق سائق LED، دائرة PFC، التبديل إمدادات الطاقة، UPS من نظام إمدادات الطاقة المستمرة، معدات الطاقة الطاقة الجديدة، الخ
المزايا يتم تصنيعها عن طريق عملية إبتاكسي متعددة الطبقات. بالمقارنة مع عملية الخندق، لديها قدرات ممتازة لمكافحة EMI ومكافحة الطفرات
 

التطبيقات:

MOSFET التقاطع الفائق
مقدمة المنتج

ريسونوس سوبر يونكشن موزفيت، المعروف أيضا باسم سوبر موزفيت، هو موزفيت قوة سوبر يونكشن ذو سعة اتصال منخفضة للغاية. يتم تصنيعه عن طريق عملية التشريح المتعددة الطبقات،الذي لديه قدرات ممتازة ضد EMI ومكافحة الزيادة.

مواصفات المنتج
  • اسم العلامة التجارية: Reasunos
  • مكان المنشأ: قوانغدونغ، الصين
  • السعر: تأكيد السعر على أساس المنتج
  • تفاصيل التعبئة والتغليف: عبوة أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في صناديق الكرتون
  • وقت التسليم: 2-30 يوما (يعتمد على الكمية الكلية)
  • شروط الدفع: 100% T/T مقدماً ((EXW)
  • القدرة على التوريد: 5KK / الشهر
  • سعة: سعة التقاطع المنخفضة للغاية
  • التطبيق: سائق LED ، دائرة PFC ، التبديل إمدادات الطاقة ، UPS من نظام إمدادات الطاقة المستمرة ، معدات الطاقة الجديدة ، الخ
  • المزايا: يتم تصنيعها عن طريق عملية Epitaxy متعددة الطبقات. بالمقارنة مع عملية الخندق ، لديها قدرات ممتازة لمكافحة EMI ومكافحة الطفرات
  • النوع: N
  • اسم المنتج: Super Junction MOSFET/SJ MOSTET
تطبيق المنتج

تستخدم Reasunos Super Junction MOSFET على نطاق واسع في محرك LED ودوائر PFC وتزويد الطاقة التبديلي وUPS لنظام إمدادات الطاقة المستمرة ومعدات الطاقة الجديدة.إنه خيار موثوق وفعال للعميل.

الدعم والخدمات:

الدعم التقني والخدمات الخاصة بـ MOSFET التقاطع الفائق

سوبر يونكشن MOSFET هو نوع من الترانزستورات المتقدمة ذات التأثير الميداني لأكسيد المعدن شبه الموصل (MOSFET) مع بنية فريدة مصممة لتحسين كفاءة الطاقة وتقليل المقاومة في الحالة.لضمان أقصى قدر من الأداء من MOSFET التقاطع الخارق الخاص بك، نحن نقدم الدعم التقني الشامل والخدمات.

فريقنا من المهندسين ذوي الخبرة متاح لتقديم المساعدة التقنية في اختيار المنتج وتصميمه وإصلاح المشاكل. كما نقدم مجموعة متنوعة من الخدمات، بما في ذلك:

  • خدمات المحاكاة لنمذجة دقيقة لأداء الجهاز
  • دعم التصميم والتخطيط لأفضل أداء
  • التدريبات والندوات في الموقع
  • برمجة الأجهزة المخصصة
  • اختبار الموثوقية

للحصول على مزيد من المعلومات حول الدعم الفني لـ Super Junction MOSFET والخدمات ، يرجى الاتصال بنا.

 

التعبئة والشحن:

 

تعبئة وشحن MOSFET التقاطع الفائق

يتم تعبئة منتجات Super Junction MOSFET بأمان في مواد مناسبة لضمان سلامة وسلامة المنتج أثناء الشحن. تتضمن عملية التعبئة الخطوات التالية:

  • يتم وضع منتج Super Junction MOSFET في صندوق وقائي.
  • ثم يتم وضع الصندوق الوقائي في صندوق كرتوني.
  • الصندوق من الورق المقوى مغلق بشريط لاصق.
  • ثم يتم وضع الصندوق المغلق في صندوق كبير من الورق المقوى.
  • ثم يتم إغلاق الصندوق الكرتوني الأكبر بأمان مع شريط لاصق.
  • ثم يتم وضع الحزمة في حاوية شحن مناسبة.

تتضمن عملية الشحن الخطوات التالية:

  • يتم إرسال منتج Super Junction MOSFET المعبأ إلى عنوان الشحن المناسب.
  • يتم تتبع الطرد خلال رحلته حتى يصل إلى وجهته.
  • يتم تسليم الطرد للعميل.

 

الأسئلة الشائعة:

 

س: ما هو MOSFET التقاطع الخارق؟
ج: سوبر جونكشن MOSFET هو نوع من ترانزستور تأثير المجال نصف الموصل أكسيد المعدن (MOSFET) الذي تم تصميمه للحد من فقدان الطاقة وزيادة الكفاءة.
س: ما هو اسم العلامة التجارية لـ MOSFET Super Junction؟
الجواب: اسم العلامة التجارية لـ MOSFET Super Junction هو REASUNOS.
السؤال: أين يتم تصنيع موزفيت السوبر جونكشن؟
الجواب: يتم تصنيع MOSFET Super Junction في قوانغدونغ، الصين.
س: كم تبلغ تكلفة MOSFET Super Junction؟
ج: سعر MOSFET Super Junction هو تأكيد السعر بناءً على المنتج.
س: ما هي علبة MOSFET Super Junction؟
ج: يتم تعبئة Super Junction MOSFET في عبوات أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للثبات، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.
س: كم مدة تسليم MOSFET Super Junction؟
الجواب: وقت التسليم لـ MOSFET Super Junction هو 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية).
س: ما هو مدة الدفع لـ MOSFET Super Junction؟
ج: مدة الدفع لـ Super Junction MOSFET هي 100٪ T / T مقدماً ((EXW).
س: ما هي قدرة التوريد لـ MOSFET التقاطع الفائق؟
الجواب: القدرة على توفير MOSFET التقاطع الخارق هو 5KK / الشهر.
بطاقة:

الترانزستور ذو التقاطع الفائق من أكسيد المعدن,MOSFET PFC الدوائر الفائقة,إمدادات الطاقة MOSFET التقاطع الخارق

مكافحة المبالغة MOSFET التقاطع الفائق,MOSFET Super Junction دائمة,القناة المتعددة الأغراض

Power Supply Super Junction MOSFET