MOSFET ความดันสูงหลายประการ ที่มั่นคงสําหรับอุปกรณ์ประกอบไฟฟ้ากระบวนการ
สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
---|---|
ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
ราคา | Confirm price based on product |
รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xการรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A | แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
---|---|---|---|
ข้อดี | เทคโนโลยีการเติมสารแปรผันด้านข้างแบบใหม่ โครงสร้าง MOS กำลังพิเศษ ลักษณะเฉพาะที่ยอดเยี่ยมในอุณหภูมิส | การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี |
คะแนนแรงดันไฟฟ้า | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ | ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง |
ความต้านทาน | ความต้านทานต่ำ | การประยุกต์ใช้งาน HV Mosfet | ไดร์เวอร์ LED, อะแดปเตอร์, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ ฯลฯ |
เน้น | MOSFET ความดันสูงหลายฟังก์ชัน,MOSFET ความดันสูงคงที่,แหล่งไฟฟ้า โฟลตสูง Fet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
MOSFET ความต้านทานต่ํา ความดันสูงสุด สําหรับการใช้งานไฟฟ้าในตู้
คําอธิบายสินค้า:
มอสเฟตความดันสูง (High Voltage MOSFET) เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ MOS-Gate ที่ใช้เป็นหลักในการใช้งานความดันสูงเครื่องไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรมทรานซิสเตอร์ประเภทนี้มีความสามารถในการใช้งานที่กว้างขวาง เนื่องจากความสามารถความดันสูงและการบริโภคพลังงานที่ต่ําทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานความดันสูงนอกจากนี้ ความต้านทานในการเปิดที่ต่ําทําให้มันเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับอุตสาหกรรมMOSFET ความดันสูงยังให้ความน่าเชื่อถือและความมั่นคงที่ดีเยี่ยมเนื่องจากคุณสมบัติความดันสูงเป็นทางออกที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งานความดันสูงหลายประเภท เช่น ไดรเวอร์ LED, แอดป์เตอร์, พลังงานสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, และอินเวอร์เตอร์ด้วยความสามารถความดันสูงและการบริโภคพลังงานต่ํา, MOSFET ความดันสูงเป็นทางเลือกที่ดีที่สุดสําหรับการใช้งานความดันสูง
ปริมาตรเทคนิค:
คุณสมบัติ | คําอธิบาย |
---|---|
FET ความดันสูง | MOSFET ความดันสูง, MOSFET Ultra-HV และ MOSFET HV FRD ที่ติดตั้งที่มีการใช้งานต่าง ๆ |
การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μ A |
ระดับความกระชับกําลัง | โวลเตชั่นสูง / โวลเตชั่นสูงสุด |
ชื่อสินค้า | MOSFET ความดันสูง |
ประเภท | N. |
เทคโนโลย | MOSFET |
การระบายความร้อน | การระบายความร้อนที่ดี |
ข้อดี | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
การใช้งาน:
REASUNOS เป็นผู้ผลิตชั้นนําของทรานซิสเตอร์ความดันสูง MOS-Gate ที่ให้บริการด้านการใช้งานที่กว้างขวางสําหรับอุตสาหกรรมต่างๆและมีในราคาที่แข่งขัน. มันถูกบรรจุไว้ในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตตติก, วางไว้ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกล่อง. เวลาในการจัดส่งคือ 2-30 วัน, ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดที่สั่งซื้อ.เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T/T Advance (EXW)ความสามารถในการจําหน่ายของเราคือ 5KK / เดือน MOSFET ความดันสูงของเรามีการระบายความร้อนที่ดี ทําให้มันเป็นทางเลือกที่ดีสําหรับผู้ขับ LEDและการใช้งานอื่น ๆ. มันมีการรั่วไหลต่ํา และสามารถบรรลุได้ต่ํากว่า 1 μA. มันยังเหมาะสําหรับชุดมอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม, และการใช้งาน FRD ที่ติดตั้งอื่น ๆ.MOSFET ของเราถูกจัดให้ใช้งานกับความแรงดันสูง/ความแรงดันสูงสุด.
การสนับสนุนและบริการ:
ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของเราถูกออกแบบมาเพื่อตอบสนองมาตรฐานความน่าเชื่อถือและการทํางานที่สูงที่สุดเราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่ครบวงจร เพื่อช่วยให้สินค้าของคุณทํางานได้อย่างดีที่สุด.
เราให้บริการบริการด้านการสนับสนุนทางเทคนิคหลากหลาย เช่น
- การติดตั้งและการตั้งค่าสินค้า
- การแก้ปัญหาและแก้ปัญหา
- การปรับปรุงและซ่อม
- อัพเดทโปรแกรมและฟอร์มแวร์
- การให้คําปรึกษาและแนะแนวทางทางเทคนิค
ทีมวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์ของเราพร้อมที่จะช่วยคุณกับคําถามเทคนิคหรือปัญหาที่คุณอาจมีเรามุ่งมั่นที่จะให้บริการและการสนับสนุนที่ดีที่สุด เพื่อให้ความพึงพอใจของคุณ.
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการส่งของ MOSFET ความดันสูง:
- MOSFET ความดันสูงจะบรรจุในถุงกันสแตติกที่ปิด
- แพ็คเกจจะส่งในกล่องที่ป้องกัน
- วิธีการจัดส่งจะผ่านการส่งทางอากาศ
FAQ:
Q1. ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A1. ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคือ REASUNOS
Q2. สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงอยู่ที่ไหน?
A2. สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงคือกวางตอง, จีน
Q3. ราคาของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A3. ราคาของ MOSFET ความดันสูงขึ้นอยู่กับสินค้า. กรุณาติดต่อเราเพื่อข้อมูลเพิ่มเติม.
Q4. วิธีการบรรจุของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A4. MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น, กันน้ําและกันสแตติก, วางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกล่อง
Q5. ระยะเวลาการจัดส่งนานแค่ไหน?
A5. ระยะเวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันสูงคือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด