รายละเอียดสินค้า

อุปกรณ์ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความต้านทานต่ําสําหรับแอปพลิเคชั่นฯลฯ

คําอธิบายสินค้า:

ภาพรวม MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์

Silicon Carbide MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนําแบบที่ทันสมัย (MOSFET) ซึ่งใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งเป็นที่รู้จักในฐานะหนึ่งในวัสดุครึ่งนําที่น่าเชื่อถือที่สุดMOSFET แบบนี้มีความต้านทานต่ําและมีประสิทธิภาพสูง, ทําให้มันเป็นทางเลือกที่เหมาะสมสําหรับหลาย ๆ การใช้งาน. มันถูกผลิตขึ้นบนพื้นฐานของสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ, การรับประกันกระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่น่าเชื่อถือ.

MOSFET นี้ถูกสร้างขึ้นจากวัสดุซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งเป็นสารประกอบครึ่งประสาท วัสดุนี้มีช่องแดนกว้าง และความแรงกระหน่ําสูงทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานที่หลากหลายมันยังมีความสามารถในการนําไฟฟ้าได้ดีเยี่ยม ทําให้มันสามารถใช้ได้ในแอปพลิเคชั่นพลังงานสูง

MOSFET Silicon Carbide มีความน่าเชื่อถือสูง และมีความต้านทานต่ํา, ประสิทธิภาพสูง และความสามารถในการนําความร้อนสูงการประกันกระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่น่าเชื่อถือซึ่งทําให้มันเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานหลายๆ อย่าง

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตร	คําอธิบาย
พลัง	อํานาจสูง
วัสดุ	ซิลิคอนคาร์ไบด์
ประเภท	N
ประเภทอุปกรณ์	MOSFET
ประสิทธิภาพ	ประสิทธิภาพสูง
ความถี่	ความถี่สูง
ความต้านทาน	ความ ต่อต้าน ต่ํา
ข้อดี	หลักฐานของสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ กระบวนการคงที่และคุณภาพที่น่าเชื่อถือ
การใช้งาน	อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้าแบบ DC/DC ความดันสูง เครื่องขับมอเตอร์ เครื่องไฟฟ้า UPS เครื่องไฟฟ้าสลับ เครื่องชาร์จ
ชื่อสินค้า	MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์

การใช้งาน:

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์

REASUNOS Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET) ผลิตจากวัสดุซิลิคอนคาร์ไบด์ โดยออกแบบให้มีประสิทธิภาพและผลงานสูงมันถูกผลิตในกรุงกวางดง, จีน, จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ํา 600. มันถูกบรรจุด้วยฝุ่นกันฝุ่น, กันน้ํา, และ anti-static การบรรจุท่อ, วางในกล่องกระดาษในกล่องกล่องระยะเวลาการจัดส่ง 2-30 วัน, ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด. จํานวนการชําระเงินต้องเป็น 100% T/T Advance (EXW) ความสามารถในการจัดจําหน่ายสูงถึง 5KK / เดือนและมันเหมาะสําหรับการใช้งานที่มีประสิทธิภาพสูง เช่น เครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์, เครื่องแปลง DC / DC ความดันสูง, คนขับมอเตอร์, แหล่งไฟฟ้า UPS, แหล่งไฟฟ้าสลับ, ค้อนการชาร์จ, ฯลฯ

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET Silicon Carbide

เราให้บริการลูกค้าของเราด้วย การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่ครบวงจร สําหรับผลิตภัณฑ์ Silicon Carbide MOSFET ของเราทีมงานผู้เชี่ยวชาญของเราพร้อมที่จะช่วยตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีและให้คําแนะนําเกี่ยวกับการใช้สินค้าอย่างถูกต้องเรายังนําเสนอบริการหลายประเภท ซึ่งรวมถึง

การให้คําปรึกษาและสนับสนุนทางเทคนิค
การติดตั้งสินค้าและแก้ปัญหา
การปรับปรุงและซ่อม
การบํารุงรักษาในสถานที่
การอบรมทางเทคนิค

สําหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์และบริการ MOSFET ซิลิคอน คาร์ไบด์ ของเรา โปรดไปที่เว็บไซต์ของเรา หรือติดต่อเราโดยตรง

การบรรจุและการขนส่ง

ซิลิคอนคาร์ไบด MOSFET ถูกบรรจุและส่งในกล่องกระดาษปูปิดด้วยกระเป๋าต่อต้านสแตตติกภายในกล่องถูกติดป้ายที่มีข้อมูลสินค้า เช่น ชื่อสินค้า ปริมาณและที่อยู่ปลายทาง. ใช้วัสดุบรรจุที่กันอุณหภูมิ ความชื้น และกันกระแทก เพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์จะไม่เสียหายระหว่างการขนส่งจากนั้นกล่องจะถูกวางบนพัลเล็ต และบรรจุเพื่อส่ง.

FAQ:

คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ Silicon Carbide MOSFET คืออะไร?: A: ชื่อแบรนด์ของ Silicon Carbide MOSFET คือ REASUNOS
ถาม: MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกผลิตที่ไหน?: ตอบ: MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกผลิตในกวางดง ประเทศจีน
Q: จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ําเท่าไร?: A: จํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ํา 600
คําถาม: การบรรจุของ Silicon Carbide MOSFET คืออะไร?: ตอบ: การบรรจุของ Silicon Carbide MOSFET เป็นการบรรจุแบบท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ตั้งอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกระดาษ
คําถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งของ Silicon Carbide MOSFET คือเท่าไหร่?: A: ระยะเวลาในการจัดส่งสําหรับ Silicon Carbide MOSFET คือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด

แท็ก:

สถานที่กำเนิด	กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์	REASUNOS
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ	600
ราคา	Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ	บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ	2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน	100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต	5KK/เดือน

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RSM065030W	N	55	650	30	50	TO247-3	600
checkbox	2	RSM065030Z	N	55	650	30	50	TO247-4	600
checkbox	3	RSM065060W	N	29	650	60	79	TO247-3	600
checkbox	4	RSM065060Z	N	29	650	60	79	TO247-4	600
checkbox	5	RSM120018Z	N	105	1200	18	26	TO247-4	600
checkbox	6	RSM120025W	N	90	1200	25	34	TO247-3	600
checkbox	7	RSM120025Z	N	90	1200	25	34	TO247-4	600
checkbox	8	RSM120040W	N	68	1200	40	55	TO247-3	600
checkbox	9	RSM120040Z	N	68	1200	40	55	TO247-4	600
checkbox	10	RSM120075W	N	33	1200	75	95	TO247-3	600
checkbox	11	RSM120075Z	N	33	1200	75	95	TO247-4	600
checkbox	12	RSM120080W	N	36	1200	80	98	TO247-3	600
checkbox	13	RSM120080Z	N	36	1200	80	98	TO247-4	600
checkbox	14	RSM120160W	N	18	1200	160	196	TO247-3	600
checkbox	15	RSM120160Z	N	18	1200	160	196	TO247-4	600
checkbox	16	RSM1701K0W	N	5	1700	1000	1300	TO247-3	600
checkbox	17	RSM1701K0Z	N	5	1700	1000	1300	TO247-4	600
checkbox	18	RSM170045W	N	72	1700	45	70	TO247-3	600
checkbox	19	RSM170045Z	N	72	1700	45	70	TO247-4	600

มอสเฟตกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

มอสเฟตแรงดันสูง

มอสเฟตแรงดันต่ำ

IGBT พลังงานสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

เอสไอซี พาวเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์

เครื่องแปลงซิลิคอนคาร์ไบด MOSFET ทนทานหลายฟังก์ชัน ความต้านทานต่ํา