Wszystkie produkty
Osoba kontaktowa : Anita Yin
Numer telefonu : +86 13712219843
WhatsApp : 8613712219843

Obwód PFC Węglik krzemowy SBD Półprzewodnik wysokiej częstotliwości Stabilny

  • PFC Circuit Silicon Carbide SBD Semiconductor High Frequency Stable
Miejsce pochodzenia Guangdong, CN
Nazwa handlowa REASUNOS
Cena Confirm price based on product
Szczegóły pakowania Pyłoszczelne, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczane wewnątrz kartonu w kartonac
Czas dostawy 2-30 dni (w zależności od całkowitej ilości)
Zasady płatności 100% T/T z góry (EXW)
Możliwość Supply 5KK/miesiąc

Skontaktuj się ze mną, aby otrzymać bezpłatne próbki i kupony.

WhatsApp:0086 18588475571

czat: 0086 18588475571

Skype'a: sales10@aixton.com

W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.

x
Szczegóły Produktu
wydajność Wysoka wydajność Częstotliwość Wysoka częstotliwość
Charakterystyka Niezwykle niski prąd odzyskiwania wstecznego, silna zdolność przeciwprzepięciowa Wytrzymałość cieplna Odporność na wysoką temperaturę
Materiał Węglik krzemu Rodzaj urządzenia Zasilanie urządzeń dyskretnych
Zastosowanie Obwód PFC, falownik DC/AC do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacz UPS, sterownik sil Władza Wysoka moc
Podkreślić

Obwód PFC węglowodorów krzemowych SBD

,

Włókno węglowęzionowe SBD Wysoka częstotliwość

,

Stabilny półprzewodnik z węglanu krzemu
Możesz zaznaczyć potrzebne produkty i komunikować się z nami na tablicy ogłoszeń.
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
Zostaw wiadomość
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
opis produktu

SBD/Sic SBD z węglem krzemowym - Materiał do półprzewodników z węglem krzemowym

Opis produktu:

Silicon Carbide SBD (Semiconductor Carbon Component, Sic SBD, Carbon Silicon Semiconductor) jest urządzeniem dyskretnym mocy szeroko stosowanym w obwodzie PFC, Inwerterze prądu stałego/przechodzącego do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej,Zasilanie UPSOznacza niezwykle niski prąd odwrotny, silną zdolność przeciwprądową i wysoką odporność na temperaturę.

 

Parametry techniczne:

Nieruchomości Opis
Efektywność Wysoka wydajność
Zastosowanie Obwód PFC, Inwerter prądu stałego/przechodzącego do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacz UPS, sterownik silnika itp.
Materiał Karbyd krzemowy
Rodzaj urządzenia Urządzenia dyskretne
Nazwa produktu Słodkowo-silikonowy SBD/SiC SBD
Częstotliwość Wysoka częstotliwość
Władza Wysoka moc
Odporność na ciepło Odporność na wysokie temperatury
Zalety Proces jest stabilny, a jakość niezawodna.
Charakterystyka Niezwykle niski prąd odwrotnego odzysku, silna zdolność prądu przeciwprężnego
Kluczowe słowa Półprzewodnik węglowo-krzemowy, dioda węglowo-krzemowa, SBD węglowo-karburowy
 

Zastosowanie:

Silicon Carbide SBD to wysokowydajne urządzenie półprzewodnikowe węglowo-krzemowe produkowane przez REASUNOS, znaną markę, pochodzącą z Guangdong w Chinach.Ten produkt jest oparty na krajowej linii produkcyjnej standardu wojskowego i jego proces jest stabilny, a jakość jest niezawodna.Oferuje niezwykle niski prąd odwrotnego odzysku i silną zdolność prądu przeciwprzesilania.

SBD z węglanu krzemowego jest stosowany w szerokim zakresie zastosowań, takich jak elektronika mocy, przemysł fotowoltaiczny, przemysł motoryzacyjny, elektronika użytkowa, lotnictwo i ochrona, napęd silników przemysłowych,Jest szczególnie odpowiedni do zastosowań, które wymagają doskonałej zdolności prądu przeciwprzesilania.Jest również idealny do urządzeń elektronicznych, które muszą działać w trudnych warunkach i muszą działać w wysokich temperaturach.

Ceny SBD z węglem krzemowym zależą od produktu i są pakowane w odparowane od pyłu, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczone w kartonowym pudełku w kartonach.Czas dostawy od 2 do 30 dniTermin płatności wynosi 100% T/T z góry (EXW) a możliwości dostaw wynoszą 5KK/miesiąc.

 

Wsparcie i usługi:

Silicon Carbide SBD oferuje kompleksowe wsparcie techniczne i usługi dla naszych produktów.Nasz zespół bardzo doświadczonych i certyfikowanych specjalistów technicznych jest do Państwa dyspozycji, aby pomóc w wszelkich pytaniach.Za pośrednictwem naszego internetowego portalu wsparcia, możesz uzyskać dostęp do naszej dokumentacji pomocy, skontaktować się z naszym zespołem wsparcia i dołączyć do naszych forum społeczności, aby uzyskać odpowiedzi na swoje pytania.

Nasz zespół nieustannie pracuje nad udoskonaleniem oferty usług i zapewnieniem, że pozostaniemy w czołówce technologii i innowacji.

  • Bezpłatna pomoc techniczna w zakresie montażu i instalacji
  • Rozwiązywanie problemów i diagnostyka
  • Aktualizacje oprogramowania i oprogramowania układowego
  • Dostosowanie i optymalizacja produktów
  • Szkolenie w zakresie oprogramowania i sprzętu

Zobowiązujemy się zapewnić Państwu najwyższy poziom obsługi klienta.

 

Opakowanie i wysyłka:

Opakowanie i wysyłka SBD z węglem krzemowym

Wypuszcza się go w oryginalnym opakowaniu i jest pakowany w ciężkie pudełka kartonowe, co pomaga zapewnić bezpieczne dostarczenie produktu do miejsca przeznaczenia.Na pudełkach znajduje się również nazwa produktu, specyfikacji produktu i kodu kreskowego.

Produkt jest wysyłany z numerem śledzenia, który umożliwia klientom śledzenie przesyłki w czasie rzeczywistym.

Produkt jest wysyłany z odpowiednimi środkami bezpieczeństwa, takimi jak opakowanie odporne na wstrząsy, folie i inne podkładki ochronne.

 

Częste pytania:

Częste pytania i odpowiedzi dotyczące REASUNOS Silicon Carbide SBD
  • P: Jaka jest nazwa tego produktu?
    A: Nazwa towarowa to REASUNOS.
  • P: Gdzie ten produkt jest produkowany?
    Ten produkt jest produkowany w Guangdong w Chinach.
  • P: Jaka jest cena tego produktu?
    A: Cena tego produktu jest potwierdzana na podstawie rodzaju produktu.
  • P: Jakie jest opakowanie tego produktu?
    A: Opakowanie jest opakowaniem rurowatym, wodoodpornym i antystatycznym, umieszczonym w kartonie w kartonach.
  • P: Jak długi jest czas dostawy?
    A: Czas dostawy wynosi 2-30 dni w zależności od całkowitej ilości.
  • P: Jaki jest termin płatności?
    O: Termin płatności wynosi 100% T/T z góry (EXW).
  • P: Jaka jest zdolność dostaw?
    Odpowiedź: Zdolność dostaw wynosi 5KK/miesiąc.
tagi:

Dioda naprawcza bariery krzemowej Schottky'ego

Wielofunkcyjna superdioda barierowa

SBD węglika krzemowego praktyczne