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내구성 매우 높은 전압 트랜지스터 다목적 항 돌풍

  • Durable Very High Voltage Transistor Multipurpose Anti Surge
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
제품 이름 고전압 MOSFET 방열 뛰어난 열 방출
전압 정격 고전압/초고압 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
저항 낮은 온 저항 기술 MOSFET
강조하다

내구성 높은 전압 트랜지스터

,

매우 높은 전압 트랜지스터 다목적

,

항상압 HV 트랜지스터
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

임베디드 FRD 고전압 MOSFET는 고전압 및 고온 애플리케이션에서 우수한 성능을 제공하기 위해 설계된 새로운 유형의 전력 반도체 장치입니다.그것은 큰 열 분산과 낮은 온 저항으로 특징입니다., 광범위한 응용 분야에서 더 효율적인 전력 변환을 허용합니다. 내장 된 FRD HV MOSFET은 새로운 변동 변동 도핑 기술과 특수 전력 MOS 구조를 기반으로합니다.이것은 높은 온도에서 우수한 특성을 가질 수 있습니다., LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위치 전원 공급 장치, 인버터, 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치 및 전기 전력 시스템에 적합합니다.이 장치는 탁월한 열 분산과 낮은 온 저항과 함께 신뢰할 수있는 성능을 제공합니다고전압 애플리케이션에 이상적인 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

속성 세부 사항
종류 N
전압 등급 고전압 / 초고전압
저항력 낮은 전원 저항
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
기술 MOSFET
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
제품 이름 고전압 MOSFET
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
열 분산 큰 열 분산
 

응용 프로그램:

리아스노스 에서 만든 고전압 MOSFET

Reasunos의 고전압 MOSFET는 고전압 애플리케이션을 위해 설계된 신뢰할 수 있고 고성능의 전력 전환 장치입니다. 이 제품은 새로운 변동성 변동성 도핑 기술을 제공합니다.특수 전력 MOS 구조, 그리고 높은 온도에서 우수한 특성을 가지고 있습니다. 그것은 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위치 전원 공급, 전기 전력 시스템, 모터 시리즈,및 인버터 응용 프로그램.

Reasunos의 HV MOSFET는 또한 훌륭한 열 방출을 제공하며 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 패키지로 제공됩니다.이 제품의 가격은 주문량에 따라 달라집니다., 배달 시간은 일반적으로 2-30 일입니다. 지불 조건은 100% T / T에 사전 ((EXW). 회사는 5KK / 월까지 공급 할 수 있습니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

고전압 MOSFET 제품에 대한 기술 지원과 서비스는 고객이 구매를 최대한 활용할 수 있도록 설계되었습니다.우리의 경험이 풍부한 기술자는 고객의 질문에 답하고 발생할 수있는 문제를 해결 할 수 있습니다.. 우리는 고객이 고전압 MOSFET 제품을 올바르게 이해하고 사용하는 데 도움이 되는 상세한 제품 정보와 문제 해결 팁을 제공합니다.우리의 고객 지원 팀은 제품 관련 질문에 답하고 기술 지원을 제공합니다..

고전압 MOSFET 제품으로 어떤 문제가 발생하거나 도움이 필요한 경우, 우리의 기술 지원 팀에 문의하십시오.우리 팀은 24/7 지원 및 모든 질문에 대답 할 수 있습니다.우리는 고객이 제품을 최대한 활용할 수 있도록 돕고 고객 만족을 보장할 수 있는 지식과 전문성을 갖추고 있습니다.

 

포장 및 운송:

포장 및 운송

고전압 MOSFET 제품은 반전적 보호 봉지에 포장되어 밀폐된 반전적 유류 상자에 배송됩니다.

상자에는 제품 이름과 제품 번호가 표시된 특별한 바코드 라벨이 있습니다.

국제 운송을 위해 제품은 플라스틱 수면으로 싸고 거품 포장 봉투에 안전하게 포장됩니다.

 

FAQ:

Q1: 고전압 MOSFET는 무엇입니까?
A1: 고전압 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) 는 통합 회로에 사용되는 트랜지스터의 일종이며, 일반적으로 고전압 애플리케이션에 사용됩니다.
Q2: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A2: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q3: 고전압 MOSFET은 어디서 왔나요?
A3: 고전압 MOSFET은 중국 광둥에서 생산됩니다.
Q4: 고전압 MOSFET의 가격은 얼마입니까?
A4: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다. 자세한 내용은 저희에게 문의하십시오.
Q5: 고전압 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?
A5: 고전압 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장재에 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
꼬리표:

안정적인 고전압 전원 모스페트

고전압 시크 모스페트

산업용 초고전압 트랜지스터