Metalen praktische hoogspanning Sic Mosfet, N-type siliciumcarbide halfgeleider
| Plaats van herkomst | Guangdong, CN |
|---|---|
| Merknaam | REASUNOS |
| Min. bestelaantal | 600 |
| Prijs | Confirm price based on product |
| Verpakking Details | Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in karto |
| Levertijd | 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid) |
| Betalingscondities | 100% T/T vooraf (EXW) |
| Levering vermogen | 5KK/maand |
Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechatten: 0086 18588475571
Skypen: sales10@aixton.com
Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.
x| Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaardproductielijn, is het proces stabiel en is de kwaliteit | Kracht | Hoge macht |
|---|---|---|---|
| Type | N | Weerstand | Weinig weerstand |
| Naam van het product | Siliciumcarbide MOSFET | efficiëntie | Hoog rendement |
| Frequentie | Hoge Frequentie | Apparatentype | MOSFET |
| Markeren | Metalen hoogspanning Sic Mosfet,Praktische hogespanning Sic Mosfet,N-type siliciumcarbide halfgeleider |
||
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Productbeschrijving:
Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to optimize the performance of high-frequency and high-efficiency electrical applicationsDit siliciumcarbide MOSFET heeft een N-kanaal en is ideaal voor het schakelen en versterken van elektrische signalen.Het wordt gevormd door een siliciumcarbide-metaaloxide-halfgeleider te combineren met een metaaloxide-halfgeleiderveld-effecttransistor, waardoor het robuuster en efficiënter is dan traditionele MOSFET's.Silicon Carbide MOSFETs worden steeds populairder vanwege hun hogere frequentie en efficiëntie in vergelijking met andere soorten MOSFETs.
Technische parameters:
| Parameter | Beschrijving |
|---|---|
| Resistentie | Weinig weerstand |
| Frequentie | Hoge frequentie |
| Materiaal | Siliciumcarbide |
| Kracht | Hoge macht |
| Type | N-type |
| Toepassing | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS stroomvoorziening, Schakelstroomvoorziening, Charging Stack, enz. |
| Efficiëntie | Hoge efficiëntie |
| Naam van het product | MOSFET van siliciumcarbide |
| Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn, het proces is stabiel en de kwaliteit is betrouwbaar |
| Typ van apparaat | MOSFET |
Toepassingen:
Het merk REASUNOSMOSFET's van siliciumcarbideis een veld effect transistor (FET) op basis van siliciumcarbide (SiC) materialen. Het heeft een lage weerstand en is in staat om te werken bij zeer hoge frequenties.Het wordt geproduceerd door een nationale militaire standaard productielijnHet is een uitstekende keuze voor high-power, high-frequency toepassingen en heeft veel voordelen ten opzichte van traditionele MOSFET's.
De REASUNOS Silicon Carbide MOSFET's hebben een minimale orderhoeveelheid van 600 en de prijs wordt bepaald op basis van product per product.en antistatische buisvormige verpakkingenDe levertijd is 2-30 dagen, afhankelijk van de totale hoeveelheid. Betalingsvoorwaarden zijn 100% T/T in Advance (EXW). De leveringscapaciteit is 5KK/maand.
De REASUNOS Silicon Carbide MOSFET's zijn geschikt voor een breed scala aan toepassingen, zoals in de automotive, industriële, medische en consumentenelektronica.De hoge frequentieprestaties en de lage weerstand maken het een ideale keuze voor toepassingen op het gebied van energiebeheerHet is ook geschikt voor hoogfrequente schakelsystemen en voor toepassingen met een hoog vermogen en hoogspanning.
Ondersteuning en diensten:
We bieden technische ondersteuning en diensten voor Silicon Carbide MOSFET.Ons supportteam bestaat uit ervaren ingenieurs die bekend zijn met het product en u de beste ondersteuning en service kunnen bieden.
Onze technische ondersteuning omvat:
- Het verstrekken van technisch advies over Silicon Carbide MOSFET product.
- Probleemoplossing en diagnose.
- Reparatie en onderhoud.
- Software-updates.
- Producttraining.
We zijn hier om u te helpen het meeste uit uw Silicon Carbide MOSFET product te halen.
Verpakking en verzending:
Verpakking en verzending van siliciumcarbide MOSFET:
De Silicon Carbide MOSFET is veilig verpakt voor verzending om ervoor te zorgen dat het veilig arriveert met zijn volledige functionaliteit..Het product wordt verzegeld in een antistatische zak en in een beschermende doos geplaatst, omgeven door schuimvulling of ander dempingsmateriaal.De doos wordt vervolgens vastgemaakt en in een buitencontainer geplaatst voor extra beschermingTen slotte wordt de zending met het juiste verzendadres gelabeld en is zij klaar voor levering.


