جميع المنتجات
الكلمات الدالة [ converter high power mosfet ] مباراة 126 المنتجات.
قناة MOSFET P ذات الجهد المنخفض متعددة المواقع لتخزين الطاقة عملية SGT
| اسم المنتج: | موسفيت الجهد المنخفض |
|---|---|
| الكفاءة: | كفاءة عالية وموثوقة |
| تطبيق عملية الخندق: | الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، محرك المحرك، محول DC/DC، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. |
شحن سريع منخفض الجهد MOSFET N القناة متعددة الأغراض للسائق
| استهلاك الطاقة: | فقدان منخفض للطاقة |
|---|---|
| قدرة شرق آسيا: | قدرة EAS عالية |
| عملية الهيكلة: | خندق / الرقيب |
RSP صغيرة منخفضة الجهد MOSFET متعددة المشهد N قناة الحد الأدنى منخفضة
| قدرة شرق آسيا: | قدرة EAS عالية |
|---|---|
| مزايا عملية SGT: | اختراق FOM الأمثل، ويغطي المزيد من التطبيقات. |
| تطبيق عملية SGT: | محرك المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. |
المعدن العملي الجهد العالي Sic Mosfet ، نوع N كربيد السيليكون نصف الموصل
| مزايا: | استناداً إلى خط الإنتاج القياسي العسكري الوطني، فإن العملية مستقرة والجودة موثوقة |
|---|---|
| القوة: | قوة عالية |
| النوع: | ن |
متعددة الأغراض SBD Mosfet ، مستدام سطح جبل Schottky حاجز المصلح
| صفات: | تيار استرداد عكسي منخفض للغاية، وقدرة تيار قوية ضد زيادة التيار |
|---|---|
| تكرار: | تردد عالي |
| المواد: | كربيد السيليكون |
كربيد السيليكون المقاوم للحرارة SBD Mosfet Multiscene للسائق
| الكفاءة: | كفاءة عالية |
|---|---|
| المواد: | كربيد السيليكون |
| القوة: | قوة عالية |
قناة N MOSFET منخفضة الجهد EAS عالية مستقرة لمحول DC DC
| استهلاك الطاقة: | فقدان منخفض للطاقة |
|---|---|
| مزايا عملية الخندق: | يمكن دمج واستخدام RSP الأصغر حجمًا والتكوينات المتسلسلة والمتوازية بحرية. |
| اسم المنتج: | موسفيت الجهد المنخفض |
متعدد الوظائف كربيد السيليكون MOSFET الجهد العالي للمحول
| الكفاءة: | كفاءة عالية |
|---|---|
| تكرار: | تردد عالي |
| مقاومة: | انخفاض المقاومة |
كفاءة عالية خسارة طاقة منخفضة الجهد المنخفض MOSFET خندق / عملية SGT
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
محرك محرك عالي الكفاءة لمحطة قاعدة الجيل الخامس
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |