ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
N Channel Silicon Based Semiconductors มัลติสเซน ความดันสูง
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ประเภท | เอ็น | ข้อดี | กระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่เชื่อถือได้ |
|---|---|---|---|
| การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี | ความถี่ | ความถี่สูง |
| พลัง | พลังงานสูง | ชื่อสินค้า | เอสไอซี พาวเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์ |
| ประสิทธิภาพ | ประสิทธิภาพสูง | โวลเตชั่น | ไฟฟ้าแรงสูง |
| เน้น | N Channel ซิลิคอนเบสเซมคอนดักเตอร์,ซิลิคอนเบสเซอร์เซมคอนดักเตอร์ มัลติสเซน,สายประสาทซิลิคอนดักเตอร์ความดันสูง |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | |
| 3 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | |
| 5 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
| 9 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
| 10 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 |
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายสินค้า:
SiC Power Semiconductor เป็นเทคโนโลยีครึ่งนําพลังงานไฟฟ้าที่มีความก้าวหน้าประกอบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)เทคโนโลยีนี้สามารถลดการสูญเสียพลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพ และปรับปรุงประสิทธิภาพของการแปลงพลังงานมันถูกออกแบบมาเพื่อทํางานในความถี่สูง ด้วยประสิทธิภาพสูง, Rds ((ON) ต่ํา และพลังงานสูง เทคโนโลยีนี้เหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลายรวมถึงพลังงานที่สามารถปรับปรุงได้ระบบรถยนต์เป็นทางเลือกที่เหมาะสมสําหรับระบบจัดการพลังงานที่ทันสมัยที่ต้องการผลงานสูง ความน่าเชื่อถือและประหยัด
ปริมาตรเทคนิค:
| คุณสมบัติ | คําอธิบาย |
|---|---|
| ชื่อสินค้า | SiC แรงครึ่งประสาท |
| พลัง | อํานาจสูง |
| ข้อดี | กระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่น่าเชื่อถือ |
| โวลเตชั่น | โวลเตชั่นสูง |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ํา |
| ประเภท | N ประเภท |
| ความถี่ | ความถี่สูง |
| ความจุของแยก | ความจุต่ํา |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
| Rds ((ON) | Rdsต่ํา ((ON) |
การใช้งาน:
การใช้งานและสถานการณ์ของ SiC Power Semiconductor
REASUNOS SiC Power Semiconductor ผลิตในกรุงกวางดง ประเทศจีน เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งานหลายๆอย่างประสิทธิภาพสูงสินค้าถูกบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น, กันน้ําและกันสแตตติกซึ่งมีในปริมาณต่าง ๆราคาของสินค้าถูกกําหนดขึ้นอยู่กับปริมาณและเวลาการจัดส่งโดยทั่วไปใช้เวลา 2-30 วัน. ความพร้อมของสินค้าคือ 5KK / เดือนและเงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW).
SiC Power Semiconductor นี้เหมาะสําหรับการใช้งานหลายอย่าง เช่น แรงไฟฟ้า semiconductor อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงาน อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงานแสงอาทิตย์ และผลิตภัณฑ์ประหยัดพลังงานอื่น ๆมันยังถูกใช้อย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมต่างๆ เช่น ออโต้, การบินอวกาศ, การเกษตร, เครื่องใช้ในบ้าน, และอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคและแปลง AC เป็น DC. การรั่วไหลของกระแสที่ต่ําทําให้มันเป็นทางเลือกที่ดีสําหรับโครงการหลาย
สรุปคือ REASUNOS SiC Power Semiconductor เป็นผลิตภัณฑ์ที่น่าเชื่อถือและมีประสิทธิภาพ มีข้อดีหลายอย่าง ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลายและการบรรจุแบบกันสแตตติก จะทําให้คุณภาพดีและเวลาจัดส่งภายใน 2-30 วันด้วยการมีให้บริการ 5KK / เดือนและเงื่อนไขการชําระเงินของ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW) เป็นทางเลือกที่ดีสําหรับโครงการหลาย ๆ โครงการ
การสนับสนุนและบริการ:
SiC Power Semiconductor ให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่ครบวงจรแก่ลูกค้าของเรา
- ข้อมูลและคําปรึกษาเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์เทคนิค
- การสนับสนุนการออกแบบเฉพาะการใช้งาน
- การสนับสนุนทางเทคนิคในสถานที่
- บริการและบํารุงรักษาสินค้าหลังการขาย
- การสนับสนุนการออกแบบและแก้ปัญหา
- การอัพเดทซอฟต์แวร์และฟอร์มแวร์
- การปรับแต่งสินค้า
- การวิเคราะห์และปรับปรุงผลงาน
- การฝึกอบรมและทรัพยากรการศึกษา
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่งสําหรับ SiC Power Semiconductor
ผลิตภัณฑ์ SiC Power Semiconductor จะถูกบรรจุและส่งไปโดยมีข้อตกลงต่อไปนี้อยู่ในใจ:
- ผลิตภัณฑ์ถูกบรรจุไว้อย่างปลอดภัย เพื่อให้คุ้มกันระหว่างการขนส่ง
- ใช้วัสดุบรรจุที่เหมาะสม เพื่อป้องกันความเสียหาย
- ทั้งหมดบรรจุภัณฑ์ถูกติดป้ายอย่างชัดเจน และตรงกับกฎหมายการขนส่ง
- ผลิตภัณฑ์ถูกส่งตามเวลา เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้า
- วิธีการจัดส่งถูกปรับปรุงเพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้า
FAQ:
คําถามและคําตอบเกี่ยวกับ REASUNOS SiC Power Semiconductor
Q1: REASUNOS SiC Power Semiconductor คืออะไร?
A1: REASUNOS SiC Power Semiconductor เป็นประเภทขององค์ประกอบ semiconductor ที่ผลิตโดย REASUNOS ผู้ผลิตชั้นนําในอุตสาหกรรม
Q2: ข้อดีของ REASUNOS SiC Power Semiconductor คืออะไร?
A2: REASUNOS SiC Power Semiconductor มีชื่อเสียงสําหรับผลงานไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม ความน่าเชื่อถือสูงและอายุการใช้งานยาวนาน
Q3: สถานที่กําเนิดของ REASUNOS SiC Power Semiconductor อยู่ไหน?
A3: REASUNOS SiC Power Semiconductor ถูกผลิตในกวนดง, จีน.
Q4: REASUNOS SiC Power Semiconductor จํานวนเท่าไหร่ที่สามารถจัดส่งได้ต่อเดือน?
A4: REASUNOS สามารถจําหน่ายครึ่งประสาทพลังงาน SiC REASUNOS ได้ถึง 5K รายเดือน
Q5: สัญญาการชําระเงินแบบไหนที่ยอมรับได้สําหรับ REASUNOS SiC Power Semiconductor?
A5: REASUNOS ยอมรับ 100% T/T ก่อน (EXW) เป็นเงื่อนไขการจ่ายเงินสําหรับ REASUNOS SIC Power Semiconductor
แนะนำผลิตภัณฑ์
