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Palabras clave [ sic power semiconductor practical ] partido 14 productos.
Dispositivos semiconductores de carburo de silicio SBD de 650 V duraderos Prácticos
| eficiencia: | Eficacia alta |
|---|---|
| Ventajas: | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad |
| Aplicación: | Circuito PFC, Invertidor CC/AC para generación de energía solar y eólica, fuente de alimentación UPS |
Barrera de carburo de silicio SBD práctica Diodo Schottky a prueba de calor 650V
| El material: | Carburo de silicio |
|---|---|
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
| Resistencia al calor: | Resistencia da alta temperatura |
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Diodo rectificador electrónico de Schottky, MBRF2045CT Diodo de barrera de SiC Schottky
| Fuga: | Salida baja |
|---|---|
| Nombre del producto: | Diodos de barrera de Schottky |
| Características: | Baja caída de voltaje hacia adelante baja, baja pérdida, tiempo de recuperación inversa extremadamen |
Resistencia a altas temperaturas del carburo de silicio de múltiples escenas SBD para circuito PFC
| Ventajas: | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad |
|---|---|
| Nombre del producto: | El carburo de silicio SBD/Sic SBD |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |