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parole chiave [ sic power semiconductor practical ] incontro 14 prodotti.
Dispositivi semiconduttori SBD a carburo di silicio 650V durevoli
| efficienza: | Alta efficienza |
|---|---|
| Vantaggi: | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
| Applicazione: | Circuito PFC, inverter CC/AC per la generazione di energia solare ed eolica, alimentatore UPS, motor |
Barriera di carburo di silicio SBD Schottky Diodo termoreflessibile 650V
| Materiale: | Carburo di silicio |
|---|---|
| Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |
| Resistenza al calore: | Resistenza ad alta temperatura |
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Diodo di rettificatore Schottky elettronico pratico, MBRF2045CT SiC Diodo di barriera Schottky
| Perdita: | Perdita bassa |
|---|---|
| Nome del prodotto: | Diodi di barriera di Schottky |
| Caratteristiche: | Diminuzione di tensione verso l'avante, bassa perdita, tempo di recupero inverso estremamente breve |
Resistenza alle alte temperature per il circuito PFC
| Vantaggi: | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
|---|---|
| Nome del prodotto: | SBD del carburo di silicio/Sic SBD |
| Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |