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palavras-chave [ sic power semiconductor practical ] Combine 14 produtos.
Dispositivos semicondutores SBD de carburo de silício de 650 V duráveis Prático
| eficiência: | Eficiência elevada |
|---|---|
| Vantagens: | Baseado na linha de produção do padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiá |
| Aplicação: | Circuito PFC, inversor DC/AC para geração de energia solar e eólica, fonte de alimentação UPS, motor |
Barreira de carburo de silício SBD prático Diodo Schottky à prova de calor 650V
| Materiais: | Carbono de silício |
|---|---|
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos do poder |
| Resistência ao calor: | Resistência de alta temperatura |
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Diodo eletrônico de retificação Schottky prático, MBRF2045CT SiC Diodo de barreira Schottky
| Vazamento: | Baixo escapamento |
|---|---|
| Nome do produto: | Diodos de barreira de Schottky |
| Características: | Baixa queda de tensão para a frente, baixa perda, tempo de recuperação reversa extremamente curto |
Resistência a altas temperaturas para circuito PFC
| Vantagens: | Baseado na linha de produção do padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiá |
|---|---|
| Nome do produto: | SBD de carburo de silício/Sic SBD |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos do poder |