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Palabras clave [ practical high power semiconductor ] partido 31 productos.
SIC práctico de alta potencia semiconductor multipropósito para electrónica
| eficiencia: | Eficacia alta |
|---|---|
| Ventajas: | Proceso estable y calidad fiable |
| Frecuencia: | De alta frecuencia |
MOSFET de alta potencia práctico de escenas múltiples de alta frecuencia estable
| eficiencia: | Eficacia alta |
|---|---|
| Aplicación: | Inversor solar, convertidor CC/CC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, |
| Resistencia: | Baja resistencia |
Práctico de alta potencia N canal Mosfet de alta corriente de metal para el convertidor
| Frecuencia: | De alta frecuencia |
|---|---|
| Ventajas: | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad |
| El poder: | Poder más elevado |
Invertidor solar SiC Semiconductor de potencia Práctico para el conductor del motor
| Corriente de recuperación reversa: | Corriente de recuperación inversa extremadamente baja |
|---|---|
| Resistencia de la temperatura: | Resistencia a altas temperaturas |
| Nombre del producto: | Semiconductor de alta potencia |
Semiconductor de carburo de silicio de baja Rds, semiconductor práctico de tipo N Silicio
| Válvula de tensión: | Alta tensión |
|---|---|
| disipación de calor: | Gran disipación de calor |
| El poder: | Poder más elevado |
Metal Práctico de Alta Tensión Sic Mosfet, Semiconductor de Carburo de Silicio Tipo N
| Ventajas: | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad |
|---|---|
| El poder: | Poder más elevado |
| El tipo: | N |
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1200V 1500V SIC Semiconductor de potencia, semiconductor de silicio multifunción
| Válvula de tensión: | Alta tensión |
|---|---|
| RDS (encendido): | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Ventajas: | Proceso estable y calidad fiable |
Carburo de silicio industrial SBD multipropósito de alta potencia práctica
| Nombre del producto: | El carburo de silicio SBD/Sic SBD |
|---|---|
| eficiencia: | Eficacia alta |
| Aplicación: | Circuito PFC, Invertidor CC/AC para generación de energía solar y eólica, fuente de alimentación UPS |
Transistores Mosfet de baja potencia 20V 60V para carga inalámbrica
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
|---|---|
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
UPS Resistencia a la temperatura del semiconductor de tipo N de silicio práctico
| eficiencia: | Eficacia alta |
|---|---|
| Corriente de recuperación reversa: | Corriente de recuperación inversa extremadamente baja |
| Resistencia de la temperatura: | Resistencia a altas temperaturas |