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palavras-chave [ practical high power semiconductor ] Combine 31 produtos.
SIC Prático Semicondutor de Alta Potência Multipurpose para Eletrônica
| eficiência: | Eficiência elevada |
|---|---|
| Vantagens: | Processo estável e qualidade confiável |
| Frequência: | De alta frequência |
MOSFET prático de alta potência multi-escena de alta frequência estável
| eficiência: | Eficiência elevada |
|---|---|
| Aplicação: | Inversor solar, conversor DC/DC de alta tensão, driver de motor, fonte de alimentação UPS, fonte de |
| Resistência: | Baixa resistência |
Prático de alta potência N canal Mosfet Metal de alta corrente para conversor
| Frequência: | De alta frequência |
|---|---|
| Vantagens: | Baseado na linha de produção do padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiá |
| Potência: | Poder superior |
Inversor solar SiC Semicondutor de Potência Prático para Motorista
| Corrente de recuperação reversa: | Corrente de recuperação reversa extremamente baixa |
|---|---|
| Resistência da temperatura: | Resistência à alta temperatura |
| Nome do produto: | Semicondutor de alta potência |
Semicondutor de carburo de silício de baixa Rds, semicondutor prático de tipo N
| Voltagem: | Alta tensão |
|---|---|
| dissipação de calor: | Grande dissipação de calor |
| Potência: | Poder superior |
Metal Prático de Alta Tensão Sic Mosfet, Semicondutor de Carbide de Silício Tipo N
| Vantagens: | Baseado na linha de produção do padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiá |
|---|---|
| Potência: | Poder superior |
| Tipo: | N |
VIDEO
1200V 1500V SIC Power Semiconductor, Multi Função Silicon Semi-Conductor
| Voltagem: | Alta tensão |
|---|---|
| RDS (sobre): | Baixo RDS (SOBRE) |
| Vantagens: | Processo estável e qualidade confiável |
Carbono de Silício Industrial SBD Multipurpose Prático de Alta Potência
| Nome do produto: | SBD de carburo de silício/Sic SBD |
|---|---|
| eficiência: | Eficiência elevada |
| Aplicação: | Circuito PFC, inversor DC/AC para geração de energia solar e eólica, fonte de alimentação UPS, motor |
Transistores Mosfet de baixa potência práticos 20V 60V para carregamento sem fio
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
|---|---|
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
UPS Prático Resistência à temperatura do semicondutor de tipo N de silício
| eficiência: | Eficiência elevada |
|---|---|
| Corrente de recuperação reversa: | Corrente de recuperação reversa extremamente baixa |
| Resistência da temperatura: | Resistência à alta temperatura |