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Palabras clave [ high power mosfet ] partido 182 productos.
MOSFET de superunión del circuito PFC de tipo N
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
Suministro de energía Super Junction MOSFET Superficie de montaje Multi Función
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
|---|---|
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
MOSFET de súper unión multipropósito N tipo 600V para controlador LED
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
|---|---|
| paquete: | Paquete ultra pequeño |
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
MOSFET de súper unión multifuncional duradero para circuito PFC
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
Mosfet de superjunción multiscena estable, Mosfet discreto anti-EMI
| Margen de la EMI: | EMI Margin grande |
|---|---|
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
| El tipo: | N |
Capacidad EAS alta Baja Rds ((ON) Proceso de zanja MOSFET Rectificación síncrona
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Transistor de súper unión industrial estable, disipación de calor Mosfet discreto
| Margen de la EMI: | EMI Margin grande |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| El tipo: | N |
MOSFET de carburo de silicio multifunción de alto voltaje para el convertidor
| eficiencia: | Eficacia alta |
|---|---|
| Frecuencia: | De alta frecuencia |
| Resistencia: | Baja resistencia |
Transistor de muy alto voltaje estable Disposición de calor multiscene
| Uso del Mosfet del alto voltaje: | Conductor del LED, adaptadores, fuente de alimentación que cambia industrial, inversores etc |
|---|---|
| disipación de calor: | Gran disipación de calor |
| Resistencia: | En-resistencia baja |
Alta eficiencia baja pérdida de potencia baja tensión MOSFET Trench / proceso SGT
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |