চীন উচ্চ দক্ষতা কম শক্তি ক্ষতি নিম্ন ভোল্টেজ MOSFET ট্রেঞ্চ / এসজিটি প্রক্রিয়া

উচ্চ দক্ষতা কম শক্তি ক্ষতি নিম্ন ভোল্টেজ MOSFET ট্রেঞ্চ / এসজিটি প্রক্রিয়া

Power consumption: Low Power Loss
Efficiency: High Efficiency And Reliable
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
চীন উচ্চ দক্ষতা কম শক্তি ক্ষতি নিম্ন ভোল্টেজ MOSFET ট্রেঞ্চ / এসজিটি প্রক্রিয়া

উচ্চ দক্ষতা কম শক্তি ক্ষতি নিম্ন ভোল্টেজ MOSFET ট্রেঞ্চ / এসজিটি প্রক্রিয়া

Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Product name: Low Voltage MOSFET
EAS capability: High EAS Capability
চীন উচ্চ দক্ষতা কম শক্তি ক্ষতি নিম্ন ভোল্টেজ MOSFET ট্রেঞ্চ / এসজিটি প্রক্রিয়া

উচ্চ দক্ষতা কম শক্তি ক্ষতি নিম্ন ভোল্টেজ MOSFET ট্রেঞ্চ / এসজিটি প্রক্রিয়া

resistance: Low Rds(ON)
Efficiency: High Efficiency And Reliable
Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
চীন উচ্চ EAS ক্ষমতা কম Rds ((ON) ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া MOSFET সিঙ্ক্রোনিক সংশোধন

উচ্চ EAS ক্ষমতা কম Rds ((ON) ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া MOSFET সিঙ্ক্রোনিক সংশোধন

Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
চীন ওয়্যারলেস চার্জিংয়ের জন্য উচ্চ ইএএস ক্ষমতা নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি

ওয়্যারলেস চার্জিংয়ের জন্য উচ্চ ইএএস ক্ষমতা নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি

EAS capability: High EAS Capability
Product name: Low Voltage MOSFET
SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
চীন 5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
resistance: Low Rds(ON)
SGT process Application: Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
চীন 5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

Efficiency: High Efficiency And Reliable
EAS capability: High EAS Capability
SGT process Application: Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
চীন 5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

Structure process: Trench/SGT
SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
Product name: Low Voltage MOSFET
চীন 5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

Efficiency: High Efficiency And Reliable
Power consumption: Low Power Loss
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
চীন 5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

5 জি বেস স্টেশনের জন্য নিম্ন ভোল্টেজ এমওএসএফইটি ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়া উচ্চ দক্ষতা মোটর ড্রাইভার

Efficiency: High Efficiency And Reliable
Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
1 2 3 4