Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Anita Yin
Τηλεφωνικό νούμερο : +86 13712219843
Whatsapp : 8613712219843
Κίνα Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλή τάση MOSFET Trench / SGT διαδικασία

Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλή τάση MOSFET Trench / SGT διαδικασία

Power consumption: Low Power Loss
Efficiency: High Efficiency And Reliable
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
Κίνα Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλής τάσης MOSFET Trench/SGT διαδικασία

Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλής τάσης MOSFET Trench/SGT διαδικασία

Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Product name: Low Voltage MOSFET
EAS capability: High EAS Capability
Κίνα Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλής τάσης MOSFET Trench/SGT διαδικασία

Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλής τάσης MOSFET Trench/SGT διαδικασία

resistance: Low Rds(ON)
Efficiency: High Efficiency And Reliable
Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Κίνα Υψηλή ικανότητα EAS Χαμηλή Rds ((ON) Διαδικασία τάφρου MOSFET Σύγχρονη διόρθωση

Υψηλή ικανότητα EAS Χαμηλή Rds ((ON) Διαδικασία τάφρου MOSFET Σύγχρονη διόρθωση

Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
Κίνα Υψηλή ικανότητα EAS χαμηλής τάσης MOSFET για ασύρματη φόρτιση

Υψηλή ικανότητα EAS χαμηλής τάσης MOSFET για ασύρματη φόρτιση

EAS capability: High EAS Capability
Product name: Low Voltage MOSFET
SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
Κίνα Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
resistance: Low Rds(ON)
SGT process Application: Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Κίνα Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Efficiency: High Efficiency And Reliable
EAS capability: High EAS Capability
SGT process Application: Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Κίνα Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Structure process: Trench/SGT
SGT process Advantages: Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
Product name: Low Voltage MOSFET
Κίνα Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Efficiency: High Efficiency And Reliable
Power consumption: Low Power Loss
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
Κίνα Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G

Efficiency: High Efficiency And Reliable
Trench process Application: Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Trench process Advantages: Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
1 2 3 4