ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : 8613712219843

ISO ทนทาน โมสเฟต ทรานซิสเตอร์ความดันสูง มอสเฟตเปลี่ยนความเร็วสูงหลายประการ

  • ISO Durable High Voltage Mosfet Transistor , Multipurpose High Speed Switching Mosfet
  • ISO Durable High Voltage Mosfet Transistor , Multipurpose High Speed Switching Mosfet
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ GB + กล่องมาสเตอร์
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ชื่อสินค้า มอสเฟตกำลังสูง ข้อดี ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูง ความถี่ ความถี่สูง
การใช้งาน เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ ประเภทอุปกรณ์ มอสเฟต
ประเภท เอ็น ความต้านทาน ความต้านทานต่ำ
เน้น

ทรานซิสเตอร์ ISO โมสเฟตความดันสูง

,

ทันทน์แรงดันสูง โมสเฟต ทรานซิสเตอร์

,

โมสเฟตสลับความเร็วสูงหลายประการ
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET พลังงานสูง (High Power MOSFET) เป็นชนิดของ MOSFET ประสิทธิภาพสูงสําหรับการใช้งานความดันสูงเครื่องแปลงไฟฟ้าแรงดันสูง DC/DC, เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์, แหล่งไฟฟ้า UPS, แหล่งไฟฟ้าการสลับ, ค้อนการชาร์จ, ฯลฯ อุปกรณ์นี้ใช้สายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติและมันให้คุณภาพที่น่าเชื่อถือและกระบวนการที่มั่นคง.

MOSFET พลังสูง เป็นอุปกรณ์ที่มีพลังงานมาก มีข้อดีมากมาย รวมถึงประสิทธิภาพสูง, ความดันสูง fet, และรายการ mosfet พลังสูงมันสามารถจัดการกับพลังงานสูงและเหมาะสําหรับการใช้งานที่ต้องการความดันสูงมันยังมีความน่าเชื่อถือมาก ด้วยสายการผลิตที่ปฏิบัติตามมาตรฐานทหารแห่งชาติ

 

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตร รายละเอียด
ประเภท N
พลัง อํานาจสูง
ความต้านทาน ความ ต่อต้าน ต่ํา
ความถี่ ความถี่สูง
ประเภทอุปกรณ์ MOSFET
การใช้งาน อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้าแบบ DC/DC ความดันสูง เครื่องขับมอเตอร์ เครื่องไฟฟ้า UPS เครื่องไฟฟ้าสลับ เครื่องชาร์จ
ชื่อสินค้า MOSFET ความแรงสูง
ข้อดี หลักฐานของสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ กระบวนการคงที่และคุณภาพที่น่าเชื่อถือ
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูง
 

การใช้งาน:

MOSFET ประสิทธิภาพสูงของ Reasunos ให้คําตอบที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานที่ต้องการความแรงดันสูงและประสิทธิภาพความถี่สูงMOSFET พลังงานสูงนี้ถูกสร้างขึ้นจากสายการผลิตมาตรฐานทหารระดับชาติ ซึ่งรับประกันความมั่นคงของกระบวนการและคุณภาพที่น่าเชื่อถือด้วยความต้านทานการเปิดต่ําและพลังงานสูง MOSFETs Reasunos เหมาะสําหรับการใช้งานต่างๆ เช่น การสวิตช์ การแปลงพลังงาน และการจัดการพลังงาน

Reasunos MOSFET ประสิทธิภาพสูงถูกใช้อย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมต่าง ๆ เช่น ออโต้, อุตสาหกรรม, การแพทย์และทหารระบบควบคุมมอเตอร์อุตสาหกรรม, ระบบพลังงานที่เกิดใหม่, เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์, และอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคระดับสูงอื่น ๆทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพสูงและพลังงานสูง.

Reasunos MOSFET ประสิทธิภาพสูงมีลักษณะดังต่อไปนี้: ชื่อแบรนด์: REASUNOS; สถานที่กําเนิด: กวางดง, CN; ราคา: ยืนยันราคาขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์; รายละเอียดการบรรจุ: GB + Master Carton;ระยะเวลาการส่ง: 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด); เงื่อนไขการชําระเงิน: 100% T / T ในล่วงหน้า ((EXW); ความสามารถในการจัดจําหน่าย: 5KK / เดือน; ประสิทธิภาพ: ประสิทธิภาพสูง; ประเภทอุปกรณ์: MOSFET; ข้อดี:จากสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ, กระบวนการคงที่และคุณภาพที่น่าเชื่อถือ; พลังงาน: พลังงานสูง; ความต้านทาน: ความต้านทานต่ํา

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความแรงสูง

เราให้บริการด้านการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่หลากหลาย สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET พลังงานสูง นักวิศวกรของเราพร้อมที่จะให้คุณกับการออกแบบที่ครบวงจรและการสนับสนุนการใช้งาน, รวมถึง:

  • ความเข้าใจอย่างลึกซึ้งเกี่ยวกับเทคโนโลยี MOSFET พลังงานสูงล่าสุด
  • คําแนะนําจากผู้เชี่ยวชาญในการเลือกส่วนประกอบที่ดีที่สุดสําหรับโครงการของคุณ
  • ช่วยในการแก้ไขปัญหาและแก้ไขปัญหาของระบบของคุณ
  • การสนับสนุนการออกแบบโปรแกรมและฮาร์ดแวร์
  • การตอบสนองอย่างรวดเร็วต่อคําถามทางเทคนิค

หากคุณต้องการความช่วยเหลือกับการใช้งาน MOSFET พลังงานสูง โปรดติดต่อเราและเราจะยินดีที่จะช่วย

 

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET พลังงานสูง

ผลิตภัณฑ์ MOSFET ที่มีประสิทธิภาพสูงถูกส่งไปในบรรจุสติกแบบมาตรฐาน เพื่อให้แน่ใจว่าอุปกรณ์ถูกคุ้มครองระหว่างการส่งและการจัดการ

แพ็คเกจมาตรฐานสําหรับ MOSFET พลังงานสูงรวมถึงสิ่งต่อไปนี้:

  • MOSFET แรงสูงหนึ่ง
  • กระเป๋า ESD ปลอดภัย 1 ชุด
  • ใส่ฟองกันสแตตติก 1 ชิ้น
  • กล่องเดียว

สะพายพัสดุทั้งหมดถูกติดป้ายอย่างชัดเจน พร้อมรายละเอียดสินค้าและข้อมูลการจัดส่ง รวมถึงที่อยู่การจัดส่งและข้อมูลติดต่อ

ผลิตภัณฑ์ MOSFET พลังงานสูงถูกส่งผ่านผู้ขนส่งที่น่าเชื่อถือ และได้รับประกันภัยจากความสูญเสียหรือความเสียหายสําหรับการจัดส่งทั้งหมด

 

FAQ:

Q1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?

A1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET พลังงานสูงคือ REASUNOS

Q2: สถานที่กําเนิดของผลิตภัณฑ์นี้อยู่ที่ไหน

A2: สถานที่กําเนิดของผลิตภัณฑ์นี้คือ กวางดง, จีน

Q3: ราคาของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?

A3: ราคาของ MOSFET พลังงานสูงคือ ราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า

Q4: รายละเอียดการบรรจุของ High Power MOSFET คืออะไร?

A4: รายละเอียดการบรรจุของ MOSFET พลังงานสูงคือ GB + Master Carton

Q5: เวลาในการจัดส่งของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?

A5: เวลาในการจัดส่งของ MOSFET พลังงานสูงคือ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด)

แท็ก:

โมสเฟตพลังงานสูง N Channel ที่ทนทาน

เครื่องแปลง MOSFET พลังงานสูง

N Channel MOSFET พลังงานสูง

แนะนำผลิตภัณฑ์