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Transistor de muy alto voltaje estable Disposición de calor multiscene
| Uso del Mosfet del alto voltaje: | Conductor del LED, adaptadores, fuente de alimentación que cambia industrial, inversores etc |
|---|---|
| disipación de calor: | Gran disipación de calor |
| Resistencia: | En-resistencia baja |
Diodo rectificador Schottky de carburo de silicio polivalente para fuente de alimentación UPS
| Nombre del producto: | El carburo de silicio SBD/Sic SBD |
|---|---|
| El poder: | Poder más elevado |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
El conductor de LED Super Junction MOSFET Anti Surge Anti EMI Resistencia interna pequeña
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
|---|---|
| Capacitancia: | Capacitancia de empalme ultrabaja |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
MOSFET de súper unión multifuncional duradero para circuito PFC
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
Anti-surge Super Junction Mos, práctico N canal de óxido metálico semiconductor
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
|---|---|
| El tipo: | N |
| Capacitancia: | Capacitancia de empalme ultrabaja |
MOSFET de súper unión industrial N Proceso de múltiples capas de canal
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
Función multifunción de tipo N para convertidores
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |
Mosfet de energía de superjunción durable, Mosfet de canal N.
| Capacitancia: | Capacitancia de empalme ultrabaja |
|---|---|
| paquete: | Paquete ultra pequeño |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
MOSFET multipropósito de súper unión de tipo N para cambiar la fuente de alimentación
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
|---|---|
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
| Margen de la EMI: | EMI Margin grande |
MOSFET de súper unión anti-EMI con conmutación ultra rápida estable para el circuito PFC
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
|---|---|
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |

