Высокоэффективный высокомощный MOSFET N-типа с военным стандартом производства для надежной передачи энергии

Place of Origin Guangdong, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Цена Confirm price based on product
Packaging Details GB+Master Carton
Delivery Time 2-30 days (Depends on Total Quantity)
Payment Terms 100% T/T in Advance(EXW)
Supply Ability 5KK/month

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Власть Высокая мощность Тип устройства MOSFET
Преимущества Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество Название продукта MOSFET наивысшей мощности
Сопротивление Низкое сопротивление Частота Высокая частота
Эффективность Высокая эффективность Тип Не
Выделить

Высокоэффективный MOSFET высокой мощности

,

MOSFET высокой мощности типа N

,

Военный стандарт производства MOSFET

Оставьте сообщение
Характер продукции
Высокочастотный МОП-транзистор высокой мощности для систем электропитания ИБП
Обзор продукта
High Power MOSFET — это ультрасовременное полупроводниковое устройство, предназначенное для эффективного управления питанием в требовательных электронных приложениях. Этот МОП-транзистор N-типа превосходно справляется с задачами переключения и усиления, что делает его незаменимым для силовой электроники, приводов двигателей, источников питания и высокочастотных цепей.
Изготовленный в соответствии со спецификациями национальных военных стандартов, этот МОП-транзистор гарантирует исключительную надежность и стабильную работу в суровых условиях эксплуатации, включая высокие температуры и колебания напряжения.
Ключевые особенности
  • Тип устройства: MOSFET (N-канальный)
  • Высокая эффективность для оптимальной производительности
  • Возможность работы на высоких частотах
  • Изготовлено в соответствии с производственной линией Национального военного стандарта.
  • Низкое сопротивление включения для снижения потерь энергии
  • Превосходные тепловые характеристики
  • Стабильный и зрелый производственный процесс
Технические характеристики
Параметр Спецификация
Название продукта МОП-транзистор высокой мощности
Тип устройства МОП-транзистор
Тип N-канал
Власть Высокая мощность
Частота Высокая частота
Сопротивление Низкое сопротивление
Эффективность Высокая эффективность
Приложения Солнечный инвертор, Высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, Драйвер двигателя, Источник бесперебойного питания, Импульсный источник питания, Блок зарядки
Приложения
Этот высокопроизводительный МОП-транзистор идеально подходит для:
  • Солнечные инверторы для эффективного преобразования энергии
  • Высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный ток в телекоммуникациях и электромобилях
  • Драйверы для промышленного оборудования и автомобилестроения
  • ИБП и импульсные источники питания для стабильной подачи электроэнергии
  • Зарядные батареи для электромобилей
Параметры настройки
REASUNOS предлагает индивидуальные решения High Power MOSFET, адаптированные к вашим конкретным требованиям, с гибкими ценами, основанными на спецификациях и объеме заказа.
Упаковка и доставка
Каждое устройство надежно упаковано в антистатические материалы в прочные коробки из гофрокартона. Мы предлагаем различные способы доставки с возможностью отслеживания и полное страховое покрытие.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какова торговая марка этого МОП-транзистора?
О: Производится под торговой маркой REASUNOS.
Вопрос: Где производится этот МОП-транзистор?
О: Произведено в Гуандуне, Китай.
В: Каков срок доставки?
О: 2-30 дней в зависимости от количества заказа.
Вопрос: Каковы условия оплаты?
О: 100% предоплата банковским переводом (EXW).