Wszystkie produkty
Osoba kontaktowa : Marco Ye
Numer telefonu : +86 18825898464
WhatsApp : +8618825898464

Odporność na ciepło Karbid krzemowy SBD Półprzewodnik Stabilna wielofunkcja

  • Heat Resistance Silicon Carbide SBD Semiconductor Stable Multi Function
Miejsce pochodzenia Guangdong, CN
Nazwa handlowa REASUNOS
Cena Confirm price based on product
Szczegóły pakowania Pyłoszczelne, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczane wewnątrz kartonu w kartonac
Czas dostawy 2-30 dni (w zależności od całkowitej ilości)
Zasady płatności 100% T/T z góry (EXW)
Możliwość Supply 5KK/miesiąc

Skontaktuj się ze mną, aby otrzymać bezpłatne próbki i kupony.

WhatsApp:0086 18588475571

czat: 0086 18588475571

Skype'a: sales10@aixton.com

W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.

x
Szczegóły Produktu
Materiał Węglik krzemu Wytrzymałość cieplna Odporność na wysoką temperaturę
wydajność Wysoka wydajność Nazwa produktu Węglik krzemu SBD/Sic SBD
Charakterystyka Niezwykle niski prąd odzyskiwania wstecznego, silna zdolność przeciwprzepięciowa Zalety W oparciu o linię produkcyjną krajowego standardu wojskowego proces jest stabilny, a jakość niezawod
Zastosowanie Obwód PFC, falownik DC/AC do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacz UPS, sterownik sil Rodzaj urządzenia Zasilanie urządzeń dyskretnych
Podkreślić

Odporność cieplna węglika krzemowego SBD

,

SBD węglowodorów krzemowych stabilny

,

Wielofunkcyjny półprzewodnik Sic
Możesz zaznaczyć potrzebne produkty i komunikować się z nami na tablicy ogłoszeń.
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
Zostaw wiadomość
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
opis produktu

Diodę Schottky'ego z węglanu krzemowego o wysokiej odporności na temperaturę do układu PFC opartej na krajowej normie produkcji wojskowej

Opis produktu:

Silikonkarbid SBD/SiC SBD to rodzaj diody prostowniczej karbidu krzemowego schottky, która opiera się na krajowej linii produkcyjnej wojskowego standardu i charakteryzuje się niezwykle niskim prądem odzysku odwrotnego,Proces jest stabilny, a jakość jest niezawodna, co czyni go idealnym wyborem dla różnych wymagających zastosowań.

Silikonkarbid SBD/SiC SBD ma wysoką moc i może zapewnić doskonałą ochronę przed prądami nadwyżkowymi.co czyni go idealnym wyborem do sterowania zastosowaniami o dużej mocyPonadto opiera się na krajowej linii produkcyjnej w standardowych warunkach wojskowych, co gwarantuje stabilny proces i niezawodną jakość.

Podsumowując, Silicon Carbide SBD/SiC SBD jest wysokiej mocy diodą prostowarunkową z węglem krzemu schottky, która posiada niezwykle niski prąd odwrotnego odzysku,silna zdolność prądu przeciwprzesilania i wysoka mocJest oparty na krajowej linii produkcyjnej standardu wojskowego, zapewniając stabilny proces i niezawodną jakość.

 

Parametry techniczne:

Nieruchomości Wartość
Nazwa produktu Słodkowo-silikonowy SBD/SiC SBD
Materiał Karbyd krzemowy
Rodzaj urządzenia Urządzenia dyskretne
Zastosowanie Obwód PFC, Inwerter prądu stałego / prądu przemiennego do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacz UPS, sterownik silnika itp.
Zalety Proces jest stabilny, a jakość niezawodna.
Częstotliwość Wysoka częstotliwość
Efektywność Wysoka wydajność
Władza Wysoka moc
Odporność na ciepło Odporność na wysokie temperatury
Charakterystyka Niezwykle niski prąd odwrotnego odzysku, silna zdolność prądu przeciwprężnego
Kluczowe słowa Dioda naprawcza Schottky z węglem krzemowym, Dioda barierowa z węglem krzemowym, Dioda barierowa Sic Schottky, Dioda barierowa Sic
 

Zastosowanie:

REASUNOS Silicon Carbide SBD, znany również jako dioda naprawcza Schottky, jest szeroko stosowany w obwodzie PFC, inwerterze DC / AC do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilaczu UPS, sterowniku silnika,i innych zastosowań w trudnych warunkach środowiskowychZe swoimi cechami: bardzo niskim prądem odwrotnym, silną zdolnością przeciwprądową, wysoką odpornością na temperaturę i wysoką mocą,REASUNOS Silicon Carbide SBD jest idealnym wyborem dla tych zastosowań.

REASUNOS Silicon Carbide SBD jest produkowany w Guangdong, CN, a cena różni się w zależności od produktu.umieszczone w pudełku kartonowym w kartonach. Czas dostawy wynosi 2-30 dni w zależności od całkowitej ilości. Warunki płatności są 100% T / T z góry ((EXW). Zdolność dostaw wynosi 5KK / miesiąc.

 

Wsparcie i usługi:

Wsparcie techniczne i usługi związane z SBD węglowodorów krzemowych
Nasz zespół wsparcia jest dostępny do odpowiedzi na pytania, udzielenia pomocy technicznej,i pomóc w rozwiązywaniu problemów z produktemPonadto oferujemy kompleksową gwarancję, która obejmuje wszelkie wady w materiałach i wykonaniu.Zapewniamy szkolenia i zasoby edukacyjne, aby pomóc Ci zmaksymalizować potencjał Twojego produktu Silicon Carbide SBD.

Opakowanie i wysyłka:

W związku z powyższym Komisja uznaje, że w odniesieniu do produktu objętego postępowaniem, o którym mowa w art. 2 ust. 1 lit. a) rozporządzenia (WE) nr 1225/2009, nie ma zastosowania art. 3 ust. 1 lit. a) rozporządzenia (WE) nr 1225/2009.

  • Małe zamówienia: pakowane w standardowy karton, z piankami do ochrony.
  • Średnie zamówienia: pakowane w drewniane palety, z wkładkami piankowymi do ochrony.
  • Wielkie zamówienia: pakowane w drewniane skrzynki, z pianką do ochrony.
 

Częste pytania:

A1: REASUNOS Silicon Carbide SBD jest materiałem półprzewodnikowym o szerokiej pasmowej przestrzeni i doskonałej przewodności cieplnej.Jest odpowiedni dla urządzeń półprzewodnikowych o wysokiej temperaturze i wysokiej częstotliwości.

A2: REASUNOS Silicon Carbide SBD jest produkowany w Guangdong w Chinach.

A3: Cena REASUNOS Silicon Carbide SBD zależy od produktu. Proszę skontaktować się z nami o dokładne ceny.

A4: REASUNOS Silicon Carbide SBD jest pakowany w odparowane od pyłu, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe umieszczone w kartonowym pudełku w kartonach.

Odpowiedź: Czas dostawy REASUNOS Silicon Carbide SBD wynosi 2-30 dni, w zależności od całkowitej ilości.

 

tagi:

Dioda naprawcza bariery krzemowej Schottky'ego

Wielofunkcyjna superdioda barierowa

SBD węglika krzemowego praktyczne