300V 안정적인 고전압 전원 모스페트, LED 드라이버 트랜지스터 빠른 전환

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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제품 상세 정보
방열 뛰어난 열 방출 종류
Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 전압 정격 고전압/초고압
장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
기술 MOSFET 저항 낮은 온 저항
강조하다

300V 고전압 전원 모스페트

,

안정적인 고전압 전원 모스페트

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LED 드라이버 트랜지스터 빠른 전환

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

캐비닛 전원 공급용 초고전압 MOSFET 응용 기술 MOSFET

제품 설명:

고전압 MOSFET는 내장 FRD 기술을 가진 고전압 Fet 트랜지스터로 LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위칭 전원 공급 장치, 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치,인버터 및 전기 전력 시스템그것은 낮은 누출 특성을 가지고 있으며 1 μ A 이하에 도달 할 수 있으며 고전압 또는 초고전압까지 등급 전압에서 우수한 성능을 제공 할 수 있습니다.고전압 MOSFET 는 많은 분야에서 널리 사용 됩니다, 그리고 그것은 높은 전압 응용 프로그램에 대한 신뢰할 수 있고 고성능의 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 가치
제품 이름 고전압 MOSFET
종류 N
열 분산 큰 열 분산
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
저항력 낮은 전원 저항
기술 MOSFET
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
전압 등급 고전압/극대고전압
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
 

응용 프로그램:

REASUNOS 고전압 MOSFET는 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 애플리케이션 및 기타 애플리케이션에서 널리 사용됩니다.세계에서 가장 선도적인 초고전압 MOSFET 기술입니다.. 그것은 낮은 누출, 낮은 저항, 고품질 성능과 높은 신뢰성을 특징으로 합니다. 그것은 또한 먼지, 방수, 그리고 반 정적 튜버 포장 통과,카튼 상자 안에 포장된 카튼, 그리고 누출은 1 μ A 이하에 도달 할 수 있습니다. 그리고 배달 시간은 전체 양에 따라 2 ~ 30 일이며 지불 조건은 100% T / T 사전 (EXW) 입니다.공급 능력은 5KK / 달이며 가격은 제품에 따라 확인됩니다..

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

ABC에서는 고전압 MOSFET 고객을 위해 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공합니다. 전문가 팀은 우리의 제품과 서비스에 대한 모든 질문에 대답 할 수 있습니다.

우리는 다음과 같은 광범위한 기술 지원 서비스를 제공합니다.

  • 제품 선택 조언
  • 디자인 조언
  • 문제 해결 지원
  • 소프트웨어 및 펌웨어 업데이트
  • 완전 보증 지원

우리는 또한 현장 설치 및 시공 및 포괄적 인 교육 패키지와 같은 여러 가지 추가 서비스를 제공합니다. 더 많은 정보를 얻으려면 오늘 저희에게 연락하십시오.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 의 포장 및 운송

고전압 MOSFET 제품은 다음 지침에 따라 포장됩니다.

  • MOSFET는 정적 보호 용기에 안전하게 포장되어야 합니다.
  • 용기에는 적절한 위험 경고가 표시되어야 합니다.
  • MOSFET는 반 정적 포장으로 배송되어야 합니다.
  • 운송 패키지는 적절한 위험 경고로 표시되어야 합니다.
 

FAQ:

고전압 MOSFET

질문 및 답변

  • Q1:고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
    A1:고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
  • Q2:이 제품은 어디서 왔어요?
    A2:이 제품은 중국 광둥에서 왔습니다.
  • Q3:상품의 가격은 얼마인가요?
    A3:제품의 가격은 제품에 따라 확인되어야 합니다.
  • Q4:제품 용품은 어떤 종류의 포장지를 사용합니까?
    A4:이 제품은 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지를 사용하여 카튼 상자 안에 배치됩니다.
  • Q5:배달 시간이 얼마나 걸리죠?
    A5:배송시간은 2~30일이고, 전체 수량에 따라 달라집니다.