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키워드 [ base station low voltage mosfet ] 시합 40 상품.
고효율 저전력 손실 저전압 MOSFET 트렌치 / SGT 프로세스
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
내구성 있는 SGT 저전압 MOSFET 다중 기능
| SGT 프로세스 적용: | 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. |
|---|---|
| 저항: | 낮은 RDS(ON) |
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
P 채널 저전압 MOSFET 무선 충전용 내구성 낮은
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
|---|---|
| SGT 프로세스 적용: | 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. |
| 제품 이름: | 저전압 MOSFET |
트렌치 SGT 저전압 MOSFET 실질적인 저항압 30V 40V
| SGT 프로세스 적용: | 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. |
|---|---|
| SGT 프로세스의 장점: | 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. |
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
N 채널 저전압 MOSFET DC DC 변환기에 대한 안정적인 높은 EAS
| 소비 전력: | 낮은 전력 손실 |
|---|---|
| 트렌치 공정의 장점: | 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. |
| 제품 이름: | 저전압 MOSFET |
고효율 저전력 손실 저전압 MOSFET 트렌치/SGT 프로세스
| resistance: | Low Rds(ON) |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |