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実用的なSIC 高功率半導体 電子機器のための多用途
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x商品の詳細
| 効率性 | 高性能 | 利点 | 安定した プロセス と 信頼 できる 品質 |
|---|---|---|---|
| 頻度 | 高周波 | RDS （） | 低いRDS （） |
| 熱放散 | 大きい熱放散 | 製品名 | SIC パワー半導体 |
| 漏れ | 低い漏出 | 接続点キャパシタンス | 低ジャンクション容量 |
| ハイライト | 実用的な高電力半導体,高功率半導体 多用途,エレクトロニクス SIC 半導体 |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | |
| 3 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | |
| 5 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
| 9 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
| 10 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 |
製品の説明
効率性 優れた結果のための SiC パワー半導体
製品説明:
SiCパワー半導体 (SiC Power Semiconductor) は,幅広い電力関連アプリケーションに最適な性能と信頼性を提供するように設計された高電圧電力半導体装置である.このデバイスはRDS (オン) が低い高効率,高周波,高熱分散により,高電力アプリケーションに理想的な選択となります.SiC パワー半導体は,電力管理と電力変換のための理想的なソリューションです信頼性と耐久性が高く,長期使用に最適です.SiCパワー半導体は,厳しい環境で効率的に動作するように設計され,簡単に高電圧アプリケーションを扱うことができますこの装置は熱を散らす力も高く 安全で信頼性があります電子機器やその他の電力関連アプリケーションのための信頼性と堅牢な電力ソリューションを必要としている人々のために完璧です.
技術パラメータ:
| パラメータ | 価値 |
|---|---|
| 製品名 | SiC電源半導体 |
| Rds (オン) | 低Rds ((ON) |
| 頻度 | 高頻度 |
| 交差点容量 | 低ジャンクション容量 |
| パワー | 高い力 |
| 熱散 | 熱 の 散らばる 大量 |
| 利点 | 安定した プロセス と 信頼 できる 品質 |
| 電圧 | 高電圧 |
| 効率性 | 高効率性 |
| 漏れ | 漏れが少ない |
応用:
SiC パワー半導体理由高圧電源半導体で 熱を散らす能力が優れています 中国広東で製造され 防塵・防水・防静電型管状のパッケージで 梱包されています紙箱の中に入れる競争力のある価格で販売され,月5KKの供給能力があります. 漏れが低く,安定したプロセスと信頼性の高い品質があります.100%T/T (EXW) の支払い条件で購入可能総量によって 2~30日間の配達期間があります
SiCパワー半導体は,様々な用途に適応できるため,産業,自動車,エネルギー,電信の分野で広く使用されています.高電圧の要求に適しています.低リーク率,高電圧,熱の散逸が優れているため,より信頼性と効率が良い選択です
SiCパワー半導体の利点は,多くのアプリケーションで優れた選択となっています.高電圧,低漏れ,優れた熱分散があり,信頼性と効率性があります.また,安定したプロセスと信頼性の高い品質を持っています競争力のある価格と迅速な配達時間により,SiCパワー半導体は多くの分野にとって理想的な選択です.
サポートとサービス
SiC パワー半導体技術サポートとサービス
SiC Power Semiconductorは,顧客が製品の使用を成功させるための幅広い技術サポートとサービスソリューションを提供しています.当社のサービスには以下が含まれます:
- 設計・開発支援
- テストとトラブルシューティングのサポート
- 製品ドキュメント
- 製品研修
- 施設内整備・修理
SiC パワーセミコンダクターのチームは 顧客に最高の技術サポートとサービスを提供することに 専念しています私たちは,私たちの製品が信頼性と最高品質であることを保証することにコミットしています.
梱包と輸送:
SiC 電力半導体の梱包と輸送
半導体生産の世界的リーダーとして SiC Power Semiconductorの製品は 完璧な状態で届くように 注意深く包装と輸送が必要ですすべての製品は,包装および出荷前に慎重に検査およびテストされます..
パッケージ
SiC Power Semiconductorの製品は,輸送中に ESD 安全な材料で包装されています.影響環境要因が原因で
船舶
SiC Power Semiconductorの製品は,FedEx,UPS,DHLなどの信頼性の高い宅配業者やキャリアを通じて送られます.製品が安全で間に合うように プロセス全体を通して注意深く追跡・監視されます.
FAQ:
Q1: SiC パワーセミコンダクターのブランド名は何ですか?
A1: SiC パワーセミコンダクターのブランド名は REASUNOSです
Q2: SiC パワー・セミコンダクターの原産地は?
A2: SiC Power Semiconductorの原産地は CN州広東です.
Q3: SiC パワーセミコンダクターのパッケージは?
A3: SiC Power Semiconductorのパッケージは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に箱詰められています.
Q4: SiC パワー半導体を受け取るのにどれくらい時間がかかりますか?
A4: SiC パワーセミコンダクタの総量に応じて 2~30日かかります.
Q5: SiC パワーセミコンダクターの支払い条件は?
A5: SiC パワーセミコンダクターの支払い条件は 100% T/T (EXW) です.
A1: SiC パワーセミコンダクターのブランド名は REASUNOSです
Q2: SiC パワー・セミコンダクターの原産地は?
A2: SiC Power Semiconductorの原産地は CN州広東です.
Q3: SiC パワーセミコンダクターのパッケージは?
A3: SiC Power Semiconductorのパッケージは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に箱詰められています.
Q4: SiC パワー半導体を受け取るのにどれくらい時間がかかりますか?
A4: SiC パワーセミコンダクタの総量に応じて 2~30日かかります.
Q5: SiC パワーセミコンダクターの支払い条件は?
A5: SiC パワーセミコンダクターの支払い条件は 100% T/T (EXW) です.
