ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ stable high voltage power mosfet ] การจับคู่ 78 ผลิตภัณฑ์.
MOSFET Based On The National Military Standard Production Line MOSFET for National Military Standard Production Line
| Type: | N |
|---|---|
| Device Type: | MOSFET |
| Product name: | High Power MOSFET |
High Current MOSFET MOSFET Device Type with National Military Standard Production Line Advantages
| Frequency: | High Frequency |
|---|---|
| Device Type: | MOSFET |
| Product name: | High Power MOSFET |
MOSFET คาร์ไบด์ซิลิคอนที่ใช้ได้ สถานที่คงที่ ความถี่สูง มาตรฐานทหาร
| วัสดุ: | ซิลิกอนคาร์ไบด์ |
|---|---|
| ความถี่: | ความถี่สูง |
| ประเภทอุปกรณ์: | มอสเฟต |
มอเตอร์ไดรเวอร์ โฟลเตจต่ํา Fet ทันคงสําหรับสวิทช์ความถี่สูง
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
|---|---|
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
| ความต้านทาน: | ถนนต่ำ(ON) |
การชาร์จเร็ว พลังงานต่ํา FET ราคาต่ํา
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
|---|---|
| ชื่อสินค้า: | มอสเฟตแรงดันต่ำ |
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS สําหรับเครื่องแปลง DC DC
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
|---|---|
| ข้อดีของกระบวนการร่องลึก: | RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ |
| ชื่อสินค้า: | มอสเฟตแรงดันต่ำ |
โมสเฟตช่อง P ที่มีความจุต่ํา 20 วอลต์ ที่มั่นคง ทรานซิสเตอร์กระแสไฟฟ้าสูงความแรงต่ํา
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
|---|---|
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
| การสมัครกระบวนการ SGT: | ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส |
MOSFET มอลติสเซนความแรงดันต่ําสุดที่มั่นคง สําหรับการชาร์จเร็ว
| ข้อดีของกระบวนการ SGT: | การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น |
|---|---|
| การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก: | การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ |
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
องค์ประกอบครึ่งประจุไฟฟ้าความถี่สูงที่ปฏิวัติ สําหรับระบบพลังงานที่เกิดใหม่
| ทนต่ออุณหภูมิ: | ทนต่ออุณหภูมิสูง |
|---|---|
| ย้อนกลับการกู้คืนปัจจุบัน: | กระแสการกู้คืนย้อนกลับต่ำมาก |
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูง |
Rdsต่ํา ON แพร่ครึ่งประสาทพลังงานสูง สําหรับเครื่องแปลง ความสามารถแรงต่อต้านกระแสกระแส
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูง |
|---|---|
| ย้อนกลับการกู้คืนปัจจุบัน: | กระแสการกู้คืนย้อนกลับต่ำมาก |
| RDS (เปิด): | ถนนต่ำ(ON) |