همه محصولات
کلید واژه ها [ pfc circuit super junction mosfet ] همخوانی داشتن 20 محصولات.
PFC مدار فوق اتصال MOSFET عملی Multiscene نوع N
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
| نوع وسیله: | قدرت دستگاه های گسسته |
MOSFET فوق العاده چند منظوره برای مدار PFC
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| نوع وسیله: | قدرت دستگاه های گسسته |
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
Anti EMI Super Junction MOSFET استیبل سوئیچینگ فوق سریع برای مدار PFC
| نوع وسیله: | قدرت دستگاه های گسسته |
|---|---|
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
| مقاومت داخلی: | مقاومت داخلی فوق العاده کوچک |
راننده ال ای دی سوپر جنکشن MOSFET ضد افزایش ضد EMI مقاومت داخلی کوچک
| نوع وسیله: | قدرت دستگاه های گسسته |
|---|---|
| ظرفیت: | ظرفیت اتصال فوق العاده کم |
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
600 ولت مقاومت داخلی کوچک
| نوع وسیله: | قدرت دستگاه های گسسته |
|---|---|
| نوع: | ن |
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
N Channel Super Junction MOSFET چند منظوره برای تامین برق UPS
| نوع: | ن |
|---|---|
| مقاومت داخلی: | مقاومت داخلی فوق العاده کوچک |
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
MOSFET چند منظوره Super Junction MOSFET N نوع 600V برای راننده LED
| مزایای: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است |
|---|---|
| بسته بندی: | بسته فوق العاده کوچک |
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
منبع برق سوپر جنکشن MOSFET سطح نصب چند تابع
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
|---|---|
| مزایای: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است |
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
فرآیند چند لایه ای کانال صنعتی MOSFET N
| مقاومت داخلی: | مقاومت داخلی فوق العاده کوچک |
|---|---|
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
| مزایای: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است |
نوع N MOSFET چند منظوره برای تغییر منبع برق
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
|---|---|
| مزایای: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است |
| حاشیه EMI: | حاشیه EMI بزرگ |