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アンチ・サーージ・スーパー・ジャンクション・モス Nチャネル・メタル・オキシッド半導体
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
|---|---|
| タイプ: | N |
| キャパシタンス: | 超低い接続点キャパシタンス |
1μA インバーター 高電圧MOS,工業高電圧双極トランジスタ
| 利点: | 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。 |
|---|---|
| HV Mosfetの塗布: | LEDの運転者、アダプター、産業転換の電源、インバーター等 |
| 電圧評価: | 高圧/超高度の電圧 |
安定したスーパー・ジャンクション・フェット・マルチ・レイヤ 新エネルギー発電設備
| タイプ: | N |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
強い抗突起電流のための100A高電力の半導体
| 抗突起電流: | 抗突起電流の強さ |
|---|---|
| 適用する: | ソーラーインバーター,高電圧DC/DC変換機,モータードライバ,UPS,スイッチング電源,変換機,UPS,モータードライバなど |
| RDS （）: | 低いRDS （） |