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キーワード [ metal oxide super junction transistor ] 一致 15 製品.
LEDドライバ スーパージャンクション MOSFET 抗急上昇 抗EMI 内部抵抗
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
|---|---|
| キャパシタンス: | 超低い接続点キャパシタンス |
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
PFC回路スーパー・ジャンクション MOSFET 実用Multiscene N型
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
安定したスーパー・ジャンクション・フェット・マルチ・レイヤ 新エネルギー発電設備
| タイプ: | N |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
多機能スーパージャンクション MOSFET PFC回路用耐久性
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
安定したマルチシーンのスーパージャンクション モスフェット,アンチEMI ディスクレート モスフェット
| EMIの差益: | 大きいEMIの差益 |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| タイプ: | N |