Low Voltage MOSFET Trench Process Driver Motor Efisiensi Tinggi untuk Stasiun Basis 5G

Place of Origin Guangdong, CN
Nama merek REASUNOS
Harga Confirm price based on product
Packaging Details Dustproof, waterproof, and anti-static tubular packaging, placed inside a cardboard box in cartons
Delivery Time 2-30 days (Depends on Total Quantity)
Payment Terms 100% T/T in Advance(EXW)
Supply Ability 5KK/month

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.

Ada apa:0086 18588475571

Wechat wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.

x
Detail produk
SGT process Advantages Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. resistance Low Rds(ON)
SGT process Application Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. Trench process Advantages Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized.
Structure process Trench/SGT Trench process Application Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
EAS capability High EAS Capability Efficiency High Efficiency And Reliable
Tinggalkan pesan
Deskripsi Produk

Deskripsi produk:

MOSFET Tegangan Rendah adalah komponen penting dalam desain elektronik modern, menawarkan berbagai manfaat yang penting untuk aplikasi yang efisien dan andal.Dengan menggunakan proses struktur Trench/SGT (Shielded Gate Trench) yang canggih, MOSFET ini berada di garis depan teknologi, memberikan kinerja yang luar biasa dalam berbagai lingkungan yang menuntut.dirancang untuk memenuhi aplikasi yang membutuhkan disipasi daya rendah dan frekuensi switching tinggi.

Inti dari efisiensi MOSFET Tegangan Rendah adalah Rds ((ON) yang rendah, yang merupakan resistensi pada perangkat.Parameter ini sangat penting karena secara langsung mempengaruhi kehilangan daya dan kinerja termal dari MOSFET. Rds ((ON) yang lebih rendah berarti kerugian konduktivitas yang lebih rendah ketika MOSFET berada dalam keadaan 'on', yang memungkinkan operasi yang lebih hemat energi.Hal ini sangat penting dalam aplikasi seperti pengemudi motor, di mana efisiensi dapat secara signifikan mempengaruhi kinerja dan daya tahan keseluruhan sistem.

Selain itu, Trench Low Voltage MOSFET memanfaatkan strukturnya yang canggih untuk meningkatkan kemampuan EAS (Energy Avalanche and Single Pulse).Kemampuan EAS yang tinggi menunjukkan kemampuan MOSFET untuk menahan lonjakan energi selama operasi tanpa kegagalanIni adalah atribut penting untuk aplikasi yang mengalami lonjakan daya tiba-tiba, seperti di Stasiun Basis 5G dan sistem penyimpanan energi.Ketahanan yang diberikan oleh kemampuan EAS yang tinggi memastikan bahwa MOSFET Tegangan Rendah dapat menangani kondisi ekstrem ini, yang berkontribusi pada keandalan dan umur panjang aplikasi secara keseluruhan.

Salah satu aplikasi utama dari MOSFET Tegangan Rendah kami adalah dalam ranah pengemudi motor. kontrol yang tepat dan efisiensi yang ditawarkan oleh MOSFET membuatnya pilihan yang ideal untuk aplikasi ini.Kemampuannya untuk beralih pada frekuensi tinggi dengan kerugian minimal diterjemahkan ke kontrol motor yang lebih halus dan lebih efisien, yang sangat penting untuk tugas presisi dan operasi sensitif energi.

Dalam bidang teknologi 5G yang berkembang pesat, MOSFET Tegangan Rendah menemukan tempatnya di jantung Stasiun Basis 5G.Stasiun-stasiun ini membutuhkan komponen yang dapat mengelola switching frekuensi tinggi dengan efisiensi yang luar biasa untuk menangani karakteristik throughput data besar jaringan 5GTrench Low Voltage MOSFET memiliki kemampuan Rds ((ON) rendah dan kemampuan EAS yang tinggi memastikan bahwa stasiun dasar ini beroperasi secara andal, mempertahankan layanan dan komunikasi yang tidak terganggu.

Sistem penyimpanan energi juga mendapat manfaat besar dari penggabungan MOSFET Tegangan Rendah.komponen permintaan yang dapat memberikan efisiensi tinggi dan menahan fluktuasi energiKemampuan dan efisiensi EAS MOSFET yang tinggi menjadikannya pilihan strategis untuk memastikan bahwa sistem penyimpanan energi beroperasi secara efektif,menyediakan pasokan energi yang stabil dari sumber intermiten seperti tenaga surya atau angin.

Selain itu, dalam aplikasi yang membutuhkan switching frekuensi tinggi, seperti rectifikasi sinkron, MOSFET Tegangan Rendah unggul karena kecepatan switching yang cepat dan kerugian switching yang rendah.Hal ini mengurangi panas keseluruhan yang dihasilkan dan meningkatkan efisiensi proses konversi daya, yang penting untuk aplikasi di mana ruang dan manajemen termal dibatasi.

Untuk menyimpulkan, Low Voltage Power MOSFET, dengan proses Trench / SGT, menawarkan solusi yang baik dalam efisiensi tinggi dan dapat diandalkan di bawah tekanan.Rds rendahnya memastikan kehilangan energi minimal selama operasi, sementara kemampuan EAS yang tinggi memberikan ketahanan yang dibutuhkan dalam aplikasi yang menghadapi permintaan energi tinggi atau lonjakan.atau menyediakan switching frekuensi tinggi yang efisien, MOSFET Tegangan Rendah adalah komponen yang sangat diperlukan dalam sistem elektronik modern.


Fitur:

  • Nama produk: Trench Low Voltage MOSFET
  • Efisiensi: Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan
  • Resistensi: Rds rendah ((ON)
  • Nama produk: SGT MOSFET Tegangan Rendah
  • Aplikasi proses parit: Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, switch frekuensi tinggi, rectifikasi sinkron
  • Keuntungan Proses SGT: Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi

Parameter teknis:

Parameter Spesifikasi
Proses struktur Trench/SGT
Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
Keuntungan dari proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi
Proses parit Aplikasi Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, switch frekuensi tinggi, koreksi sinkron
Resistensi Rds rendah ((ON)
Proses SGT Aplikasi Pengemudi Motor, Stasiun Basis 5G, Penyimpanan Energi, Saklar Frekuensi Tinggi, Rektifisasi Sinkron
Efisiensi Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan
Kemampuan EAS Kemampuan EAS yang tinggi
Keuntungan proses parit RSP yang lebih kecil, konfigurasi seri dan paralel dapat dikombinasikan dan digunakan secara bebas
Konsumsi daya Kehilangan Daya Rendah

Aplikasi:

Merek REASUNOS terkenal dengan trench low voltage MOSFET tercanggih, dibuat dengan presisi di Guangdong, CN.memastikan efisiensi dan keandalan yang tinggi dalam setiap skenario kasus penggunaanDengan komitmen merek untuk kualitas, setiap MOSFET dikemas dengan cermat dalam kemasan tabung tahan debu, tahan air, dan anti-statis,yang kemudian ditempatkan dengan aman dalam kotak karton yang kokoh dan karton untuk melindungi komponen selama transit.

REASUNOS Trench Low Voltage MOSFETs memiliki harga yang kompetitif, dan pelanggan didorong untuk mengkonfirmasi harga berdasarkan produk spesifik yang mereka minati.Waktu pengiriman perusahaan sangat fleksibel, mulai dari 2 sampai 30 hari tergantung pada jumlah total yang dipesan. Sedangkan untuk syarat pembayaran, REASUNOS beroperasi pada dasar 100% T/T advance (EXW), memastikan proses transaksi yang lancar.Kemampuan pasokan mereka yang mengesankan mencapai hingga 5KK per bulan, melayani permintaan produk skala kecil dan skala besar dengan kemampuan yang sama.

Kesempatan dan skenario aplikasi utama untuk MOSFET Tegangan Rendah REASUNOS beragam, meliputi sistem pengisian nirkabel, solusi pengisian cepat untuk elektronik konsumen,Mesin penggerak motor untuk aplikasi otomotif dan industri, konverter DC/DC, switching frekuensi tinggi dalam catu daya, dan rectifikasi sinkron dalam berbagai perangkat elektronik.Teknologi proses Trench yang digunakan oleh REASUNOS memastikan bahwa MOSFET ini menunjukkan kehilangan daya yang rendah, yang berarti produk akhir yang lebih hemat energi bagi konsumen dan bisnis.

Proses struktur Trench/SGT dalam MOSFET ini memberikan beberapa keuntungan proses trench, termasuk RSP yang lebih kecil (Resistance x Area Product),yang merupakan faktor penting dalam meningkatkan kinerja komponen dayaSelain itu, kemampuan untuk secara bebas menggabungkan dan memanfaatkan konfigurasi seri dan paralel memungkinkan fleksibilitas yang lebih besar dalam desain sirkuit dan pengoptimalan.MOSFET Tegangan Rendah oleh REASUNOS membuka jalan bagi pengembang dan insinyur untuk membuat kompak, solusi elektronik yang kuat dan serbaguna yang memenuhi tuntutan teknologi modern yang ketat.


Dukungan dan Layanan:

Produk MOSFET Tegangan Rendah kami didukung oleh paket dukungan teknis dan layanan yang komprehensif untuk memastikan tingkat kepuasan dan kinerja tertinggi.Tim ahli kami menyediakan layanan berikut untuk membantu Anda dengan kebutuhan MOSFET Tegangan Rendah Anda:

Bantuan Pemilihan Produk:Kami memberikan panduan tentang memilih MOSFET Tegangan Rendah yang tepat untuk persyaratan aplikasi spesifik Anda.Spesialis kami akan membantu Anda menavigasi melalui berbagai produk kami untuk menemukan yang paling cocok untuk desain Anda.

Dukungan Desain-In:Tim dukungan teknis kami tersedia untuk membantu dengan integrasi produk MOSFET Tegangan Rendah kami ke dalam desain Anda.dan pemecahan masalah untuk memastikan kinerja dan keandalan yang optimal.

Konsultasi Pengelolaan Termal:Mengelola disipasi panas sangat penting untuk umur panjang dan keandalan MOSFET.Tim kami dapat membantu Anda dengan analisis termal dan merekomendasikan solusi untuk manajemen termal yang efektif dalam aplikasi Anda.

Dukungan Teknik Aplikasi:Insinyur aplikasi kami siap untuk memberikan dukungan mendalam untuk kasus penggunaan spesifik Anda.Kami akan bekerja dengan Anda untuk mengatasi setiap tantangan teknis yang mungkin Anda hadapi.

Data Kualitas dan Keandalan:Kami berkomitmen untuk memberikan produk dengan kualitas tertinggi. Jika diminta, kami dapat memberikan data kualitas dan keandalan yang terperinci untuk mendukung pengambilan keputusan dan kebutuhan kepatuhan Anda.

Dokumen teknis:Akses ke sejumlah dokumen teknis termasuk data sheet, catatan aplikasi, white paper, dan pedoman desain untuk membantu Anda mendapatkan hasil maksimal dari produk MOSFET Tegangan Rendah kami.

Perangkat Lunak dan Alat:Manfaatkan alat dan perangkat lunak online kami untuk simulasi, perhitungan, dan perbandingan produk untuk mempercepat proses desain Anda dan mencapai hasil yang optimal.

Pelatihan dan Pendidikan:Tetap terinformasi dan up-to-date dengan teknologi dan tren terbaru melalui program pelatihan, webinar, dan sumber daya pendidikan yang disesuaikan untuk insinyur dan profesional teknis.

Tujuan kami adalah untuk memberikan Anda dengan dukungan dan sumber daya yang diperlukan untuk implementasi yang sukses dari produk MOSFET Tegangan Rendah kami ke dalam aplikasi Anda.Kami di sini untuk membantu Anda mencapai standar tertinggi efisiensi dan kinerja.


Kemasan dan Pengiriman:

Produk MOSFET Tegangan Rendah dikemas dengan aman dalam bahan anti-statis untuk memastikan pengiriman yang aman dan untuk mencegah pelepasan elektrostatik, yang dapat merusak komponen elektronik sensitif.Masing-masing MOSFET secara individual dibungkus dalam kantong pelindung statis, kemudian dimasukkan ke dalam kotak karton kaku dengan sisipan busa yang disesuaikan yang memberikan perlindungan tambahan terhadap kejut mekanis selama transportasi.

Untuk pengiriman, produk yang dikemas dimasukkan ke dalam kotak pengiriman yang lebih besar dan tahan lama dan dibungkus dengan kacang kacang atau bantal udara untuk meminimalkan gerakan dan menyerap dampak.Kotak pengiriman disegel dengan pita berat dan ditandai dengan jelas dengan "Fragile - Handle with Care" dan "Electrostatic Sensitive Devices" untuk memperingatkan pengangkut tentang sifat sensitif dari isinyaSebuah slip kemasan dengan rincian produk dan informasi pesanan disertakan di dalam kotak,dan bagian luarnya ditempelkan dengan label pengiriman yang sesuai dan setiap dokumentasi bea cukai yang diperlukan untuk pesanan internasional.