Все продукты
ключевые слова [ industrial ultra high voltage transistor ] соответствие 40 продукты.
Практический высоковольтный MOSFET теплостойкий 300V-1500V для полумоста
| Преимущества: | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе |
|---|---|
| Применение MOSFET Ультра-HV: | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et |
| Технологии: | MOSFET |
N канал высоковольтный MOSFET многофункциональный 1uA для адаптеров
| Технологии: | MOSFET |
|---|---|
| Утечка: | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
| Сопротивление: | Низкое На-сопротивление |
Драйвер LED высоковольтный MOSFET
| Тип: | N |
|---|---|
| Применение MOSFET Ультра-HV: | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et |
| тепловыделение: | Большее тепловыделение |
Устойчивый зарядный столб сверхбыстрый IGBT, промышленный изолированный двери биполярный транзистор
| Частота применения: | 60KHz |
|---|---|
| Применение: | OBC, зарядная куча, сварочная машина, переключатель питания, фотоэлектрический инвертор, хранилище э |
| Концентрация тока: | 400 А/см2 |
MOSFET высокого напряжения для промышленного коммутационного источника питания с большим рассеиванием тепла
| Технологии: | MOSFET |
|---|---|
| Применение Mosfet HV: | Водитель СИД, переходники, промышленное переключая электропитание, инверторы Etc |
| Наименование продукта: | Высоковольтный MOSFET |
Применение ультра-ВВ MOSFET умных счетчиков с низкой утечкой 1 мкА для промышленной автоматизации
| Технологии: | MOSFET |
|---|---|
| Утечка: | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
| Оценка напряжения тока: | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока |
Промышленный многослойный процесс N-канального суперсоединения MOSFET
| Внутреннее сопротивление: | Ультра небольшое внутреннее сопротивление |
|---|---|
| Применение: | Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил |
| Преимущества: | Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный |
Устойчивый MOSFET низкого напряжения, SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
| Преимущества SGT отростчатые: | Оптимизирование прорыва FOM, покрывая больше применения. |
|---|---|
| эффективность: | Высокая эффективность и надежность |
| Потребление энергии: | Потеря низкой мощности |
Ультра-ВВ MOSFET для инверторов умных счетчиков с высокой теплораспределением
| Наименование продукта: | Высоковольтный MOSFET |
|---|---|
| Тип: | N |
| Врезанное применение MOSFET HV FRD: | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
Электроснабжение сверхсоединение MOSFET поверхность монтаж многофункциональный
| Применение: | Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил |
|---|---|
| Преимущества: | Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный |
| Наименование продукта: | Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET |