Alle producten
Contactpersoon : Anita Yin
Telefoonnummer : +86 13712219843
Whatsapp : +8613712219843

Multifunktioneel siliciumcarbide MOSFET 650V Warmteafvoer Hoog efficiënt

  • Multipurpose Silicon Carbide MOSFET 650V Heat Dissipation High Efficiency
Plaats van herkomst Guangdong, CN
Merknaam REASUNOS
Min. bestelaantal 600
Prijs Confirm price based on product
Verpakking Details Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in karto
Levertijd 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid)
Betalingscondities 100% T/T vooraf (EXW)
Levering vermogen 5KK/maand

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Toepassing Zonne-omvormer, hoogspannings-DC/DC-omzetter, motordriver, UPS-voeding, schakelende voeding, laadsta Frequentie Hoge Frequentie
Kracht Hoge macht Apparatentype MOSFET
Naam van het product Siliciumcarbide MOSFET efficiëntie Hoog rendement
Weerstand Weinig weerstand Voordelen Gebaseerd op de nationale militaire standaardproductielijn, is het proces stabiel en is de kwaliteit
Markeren

Multifunktioneel siliciumcarbide MOSFET

,

Siliconcarbide MOSFET 650V

,

Warmteafvoer 650 V Sic Mosfet
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
Laat een bericht achter
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Productomschrijving

Hoogfrequente MOSFET gebaseerd op de nationale militaire productielijn

 

Productbeschrijving:

Siliciumcarbide MOSFET is een soort van Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) dat is gemaakt van siliciumcarbide materiaal en wordt gebruikt voor hoge kracht en hoge frequentie toepassingen. It is an advanced version of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) that provides much higher power handling capabilities and improved efficiency compared to traditional silicon-based MOSFETsDit type transistor heeft een breed scala aan toepassingen, zoals vermogen omvormers, motor aandrijvingen, omvormers, en andere high-power elektronica.Silicon Carbide MOSFET's worden ook gebruikt in verschillende industriële en consumentenelektronicaDeze systemen bieden een superieure prestatie op het gebied van energiebeheer, warmteafvoer en betrouwbaarheid.Siliciumcarbide MOSFET's zijn een uitstekende oplossing voor toepassingen met een hoog vermogen en hoge frequentie.

 

Technische parameters:

Voordelen Type Naam van het product Resistentie Typ van apparaat Materiaal Efficiëntie Kracht Frequentie Toepassing
Gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn, is het proces stabiel en de kwaliteit betrouwbaar N MOSFET van siliciumcarbide Weinig weerstand MOSFET Siliciumcarbide Hoge efficiëntie Hoge macht Hoge frequentie Zonne-omvormer, DC/DC-omvormer voor hoogspanning, motorbestuurder, UPS-stroomvoorziening, schakelstroomvoorziening, oplaadstapel, enz.
 

Toepassingen:

REASUNOS siliciumcarbide MOSFET's, gebaseerd op SiC-metaal-oxide-halfgeleider, hebben veel voordelen ten opzichte van traditionele silicium MOSFET's, zoals hoog vermogen, lage weerstand en hoge frequentie.Het merk is afkomstig uit Guangdong.De prijs is gebaseerd op het product en wordt aangeboden met een stofdichte, waterdichte en antistatische buisverpakking.in een kartonnen doos in kartonnen doos. De levertijd is 2-30 dagen, afhankelijk van de totale hoeveelheid. De betalingsvoorwaarden zijn 100% T/T vooraf ((EXW) en de leveringscapaciteit is 5KK/maand. SiC MOSFET's bieden hoog vermogen, lage weerstand,en hoge frequentie, waardoor ze ideaal zijn voor toepassingen zoals elektrische voertuigen, industriële toepassingen en hernieuwbare energie.

 

Ondersteuning en diensten:

Technische ondersteuning en diensten voor MOSFET van siliciumcarbide

Silicon Carbide MOSFET-producten vereisen gespecialiseerde technische ondersteuning en diensten, afgestemd op de behoeften van elke individuele klant.Ons team van zeer ervaren technische ondersteuning professionals bieden een breed scala aan diensten, van de eerste productselectie en ontwerpassistentie, tot het oplossen van problemen en reparatie.

  • Productkeuze en ontwerphulp om de beste oplossing voor uw applicatie te vinden
  • Probleemoplossing en reparatiediensten om eventuele problemen snel op te lossen
  • Technische ondersteuning na verkoop om vragen te beantwoorden en advies te geven
  • Opleidingen en workshops om u te helpen het meeste uit uw producten te halen

Als u vragen heeft of hulp nodig heeft, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.

 

Verpakking en verzending:

Verpakking en verzending van siliciumcarbide MOSFET

Silicon Carbide MOSFET wordt verpakt en verzonden in een speciale container om het apparaat te beschermen tegen eventuele schade tijdens de verzending.De container is gevuld met schuim om het apparaat tijdens het vervoer te dempenDe container wordt vervolgens verzegeld en gelabeld met de productnaam, het gewicht en de afmetingen.

Het product wordt verzonden via luchtvracht, zeevracht of landvervoer, afhankelijk van de voorkeur en locatie van de klant.Alle bestellingen moeten worden geplaatst via een gelicentieerde vervoerder en verzekerd voor de volledige waarde van de zending.

Het pakket moet in perfecte staat aankomen en moet vóór gebruik worden gecontroleerd op eventuele schade of gebreken.

 

Vragen:

V: Wat is de merknaam van het Silicon Carbide MOSFET?
A: De merknaam van het siliciumcarbide MOSFET is REASUNOS.
V: Wat is de plaats van oorsprong van het siliciumcarbide MOSFET?
A: De oorsprong van het siliciumcarbide-MOSFET is Guangdong, China.
V: Wat is de minimale bestelhoeveelheid voor het siliciumcarbide MOSFET?
A: De minimale orderhoeveelheid voor het siliciumcarbide MOSFET is 600.
V: Wat is de prijs van het siliciumcarbide MOSFET?
A: De prijs van het siliciumcarbide MOSFET is de prijs op basis van het product.
V: Hoe wordt het siliciumcarbide MOSFET verpakt?
A: De Silicon Carbide MOSFET is verpakt in stofdichte, waterdichte en antistatieke buisvormige verpakkingen, geplaatst in een kartonnen doos in kartonnen dozen.
Markeringen:

Praktische automotive Sic Mosfet

N-type Sic Power Mosfet

MOSFET van siliciumcarbide voor de automobielindustrie