সব পণ্য
কীওয়ার্ড [ power supply super junction mosfet ] ম্যাচ 21 পণ্য.
পাওয়ার সাপ্লাই সুপার জংশন MOSFET সারফেস মাউন্ট মাল্টি ফাংশন
| প্রয়োগ: | এলইডি ড্রাইভার, পিএফসি সার্কিট, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কন্টিনিউয়াস পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ইউপিএ |
|---|---|
| সুবিধাদি: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. এটি মাল্টি-লেয়ার এপিটাক্সি প্রক্রিয়া দ্বারা ত |
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
600 ভোল্ট টেকসই সুপার জংশন MOSFET বহুমুখী ছোট অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের
| ডিভাইসের ধরন: | পাওয়ার ডিসক্রিট ডিভাইস |
|---|---|
| প্রকার: | এন |
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
LED ড্রাইভার সুপার জংশন MOSFET অ্যান্টি সার্জ অ্যান্টি ইএমআই ছোট অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের
| ডিভাইসের ধরন: | পাওয়ার ডিসক্রিট ডিভাইস |
|---|---|
| ক্যাপাসিট্যান্স: | আল্ট্রা-লো জংশন ক্যাপাসিট্যান্স |
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
পিএফসি সার্কিট সুপার জংশন এমওএসএফইটি প্রাকটিক্যাল মাল্টিস্কেন এন টাইপ
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| প্রয়োগ: | এলইডি ড্রাইভার, পিএফসি সার্কিট, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কন্টিনিউয়াস পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ইউপিএ |
| ডিভাইসের ধরন: | পাওয়ার ডিসক্রিট ডিভাইস |
LED ড্রাইভারের জন্য মাল্টিপার্পস সুপার জংশন MOSFET N টাইপ 600V
| সুবিধাদি: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. এটি মাল্টি-লেয়ার এপিটাক্সি প্রক্রিয়া দ্বারা ত |
|---|---|
| প্যাকেজ: | অতি ছোট প্যাকেজ |
| প্রয়োগ: | এলইডি ড্রাইভার, পিএফসি সার্কিট, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কন্টিনিউয়াস পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ইউপিএ |
পিএফসি সার্কিটের জন্য অ্যান্টি ইএমআই সুপার জংশন এমওএসএফইটি স্থিতিশীল আল্ট্রা ফাস্ট সুইচিং
| ডিভাইসের ধরন: | পাওয়ার ডিসক্রিট ডিভাইস |
|---|---|
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
| অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ: | অতি ক্ষুদ্র অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ |
এন চ্যানেল সুপার জংশন এমওএসএফইটি ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই জন্য মাল্টিফাংশনাল
| প্রকার: | এন |
|---|---|
| অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ: | অতি ক্ষুদ্র অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ |
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
মাল্টিফাংশনাল সুপার জংশন MOSFET পিএফসি সার্কিটের জন্য টেকসই
| পণ্যের নাম: | সুপার জংশন MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| ডিভাইসের ধরন: | পাওয়ার ডিসক্রিট ডিভাইস |
| প্রয়োগ: | এলইডি ড্রাইভার, পিএফসি সার্কিট, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কন্টিনিউয়াস পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ইউপিএ |
ইন্ডাস্ট্রিয়াল সুপার জংশন এমওএসএফইটি এন চ্যানেল মাল্টি-লেয়ার প্রক্রিয়া
| অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ: | অতি ক্ষুদ্র অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ |
|---|---|
| প্রয়োগ: | এলইডি ড্রাইভার, পিএফসি সার্কিট, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কন্টিনিউয়াস পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ইউপিএ |
| সুবিধাদি: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. এটি মাল্টি-লেয়ার এপিটাক্সি প্রক্রিয়া দ্বারা ত |
এন প্রকারের সুপার জংশন MOSFET পাওয়ার সাপ্লাই স্যুইচ করার জন্য বহুমুখী
| প্রয়োগ: | এলইডি ড্রাইভার, পিএফসি সার্কিট, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কন্টিনিউয়াস পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের ইউপিএ |
|---|---|
| সুবিধাদি: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. এটি মাল্টি-লেয়ার এপিটাক্সি প্রক্রিয়া দ্বারা ত |
| ইএমআই মার্জিন: | বড় ইএমআই মার্জিন |