Все продукты
ключевые слова [ practical high power semiconductor ] соответствие 31 продукты.
Прочные полупроводниковые устройства из карбида кремния 650 В
| эффективность: | Высокая эффективность |
|---|---|
| Преимущества: | Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество |
| Применение: | Схема PFC, Инвертор постоянного тока/переменного тока для солнечной и ветровой энергетики, питание U |
Практический 60 КГц высокочастотный IGBT, многофункциональный биполярный транзистор
| Переключая скорость: | Более быстрая скорость перехода |
|---|---|
| Частота применения: | 60KHz |
| Сила: | Наивысшая мощность |
Автомобильные Кремниевые карбиды SBD Практические для электроэлектроники
| Характеристики: | Чрезвычайно низкий обратный восстановительный ток, сильная антиперебойность |
|---|---|
| Наименование продукта: | Силиконовый карбид SBD/Sic SBD |
| Применение: | Схема PFC, Инвертор постоянного тока/переменного тока для солнечной и ветровой энергетики, питание U |
Практический N-тип Автомобильный Сик Мосфет, UPS Сик Транзистор
| эффективность: | Высокая эффективность |
|---|---|
| Применение: | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, |
| Наименование продукта: | МОП-транзистор из карбида кремния |
Мосфет из карбида кремния типа N Практический высокотемпературный 650В
| эффективность: | Высокая эффективность |
|---|---|
| Сила: | Наивысшая мощность |
| Сопротивление: | Низкое сопротивление |
Противоперегрузочный суперсоединительный Мос, практичный N-канальный полупроводник оксида металла
| Применение: | Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил |
|---|---|
| Тип: | N |
| Емкость: | Ультра-низкая емкость соединения |
Низкое напряжение MOSFET процесса траншеи высокоэффективный драйвер двигателя для базовой станции 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
Практический карбид кремния SBD Барьерный диод Schottky теплостойкий 650V
| Материал: | Силиконовый карбид |
|---|---|
| Тип прибора: | Приборы силы дискретные |
| Термостойкость: | Высокотемпературное сопротивление |
Практический карбид кремния MOSFET стабильный высокочастотный военный стандарт
| Материал: | Силиконовый карбид |
|---|---|
| Частота: | Высокочастотный |
| Тип прибора: | MOSFET |
Практический инвертор Мосфет Высоковольтный, низкосопротивляющий HV транзистор
| Технологии: | MOSFET |
|---|---|
| Врезанное применение MOSFET HV FRD: | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
| Сопротивление: | Низкое На-сопротивление |