Semua produk
650V Schottky Barrier Rectifier Diode SBD Anti Surge Heatproof Daya Tinggi
| Tahan Panas: | Tahan Suhu Tinggi |
|---|---|
| Aplikasi: | Rangkaian PFC, Inverter DC/AC Untuk Pembangkit Listrik Tenaga Surya Dan Angin, Catu Daya UPS, Pengge |
| Frekuensi: | Frekuensi tinggi |
Dioda Pengoreksi Karbida Silikon Stabil SBD Standar Militer Untuk Sirkuit PFC
| Frekuensi: | Frekuensi tinggi |
|---|---|
| Bahan: | Silikon Karbida |
| Aplikasi: | Rangkaian PFC, Inverter DC/AC Untuk Pembangkit Listrik Tenaga Surya Dan Angin, Catu Daya UPS, Pengge |
N Tipe 1200V Sic Power Mosfet, Transistor Efek Medan Silikon Metal Oksida
| Nama produk: | MOSFET Silikon Karbida |
|---|---|
| efisiensi: | Efisiensi tinggi |
| Perlawanan: | Resistensi Rendah |
Stabil SIC High Power Semiconductor tipe N
| efisiensi: | Efisiensi tinggi |
|---|---|
| Keuntungan: | Proses Yang Stabil Dan Kualitas Yang Dapat Diandalkan |
| Disipasi panas: | Pembuangan Panas yang Hebat |
Anti Surge Multiscene Semi Konduktor Silikon 1200V
| Arus Anti Lonjakan: | Kemampuan Srtong Anti Lonjakan Arus |
|---|---|
| Frekuensi: | Frekuensi tinggi |
| Kekuatan: | Kekuatan tinggi |
Praktis SIC High Power Semiconductor Multipurpose Untuk Elektronik
| efisiensi: | Efisiensi tinggi |
|---|---|
| Keuntungan: | Proses Yang Stabil Dan Kualitas Yang Dapat Diandalkan |
| Frekuensi: | Frekuensi tinggi |
Anti EMI Superjunction Power Mosfet, Praktis N Channel Power Mosfet
| Kapasitansi: | Kapasitansi Persimpangan Sangat Rendah |
|---|---|
| Paket: | Paket Ultra Kecil |
| Tipe perangkat: | Perangkat Diskrit Daya |
Anti Surge MOSFET Super Junction N Channel tahan lama Multipurpose
| Ketahanan batin: | Resistensi Internal Ultra Kecil |
|---|---|
| Margin EMI: | Margin EMI yang Besar |
| Nama produk: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
600V tahan lama Super Junction MOSFET Multipurpose Resistensi internal kecil
| Tipe perangkat: | Perangkat Diskrit Daya |
|---|---|
| Jenis: | N |
| Nama produk: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
Stabil Multiscene Superjunction Mosfet, Anti EMI Mosfet diskrit
| Margin EMI: | Margin EMI yang Besar |
|---|---|
| Keuntungan: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. Itu Dibuat Dengan Proses Epitaksi Multi-layer.< |
| Jenis: | N |